HMEC Tm.TF
基础和识与基本拔塔坠酒流常大等数电于中心回
微电子基础知识和基本技能
培训课程
哈尔滨了业大学电子中吣
HITMicro- Electronic Center
2004年7月
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基础和识与基本拔塔坠酒流常大等数电于中心回
第一部分
集成电路基础知识
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基础和识与基本拔塔坠酒流常大等数电于中心回
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器件基础
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11.1MoS结构
(1)MOS结构的堆积状态( Accumulation mode)
Metal
Oxide
Vab
Vab
④④④④④
e⊙ gOoG
oeoeeee
o P Sub
oN Sube⊙e
B
B
Semicondutor
vgb≤0
vgb≥0
HITMicro- Electronic Center
2004年7月
HMEC Tm.TF
基础知与基本拔培萦火苧嫩电于中心回
1.1.1MOS结构
(2)MOS结构的耗尽状态( Depletion Mode)
Depletion
Region
Vab
oo000Oo Vgb
eeoooeo
团团
⊙e③e③③
o P Su
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