IT模块的材料参数[参考].pdfVIP

I G B T 模 块 的 材 料 参 数 目前, 功率器件和模块均采用引线键合的互连工艺和平面封装结构。 图 1 为普通 IGBT模块的解剖图。 图 1 IGBT 模块结构示意图 从上图本文可以看出 ,IGBT 模块共由 7层结构构成 , 大致可以分成三部 分 : 芯片 ,DBC和基板。 每部分之间由焊锡连接而成。 本文知道 IGBT 是在晶 闸管的基础上发展而来 , 但与传统的晶闸管相比 ,IGBT 模块省去了内部的 阴极和阳极金属层 , 分别由芯片表面引出的焊线及 DBC上层铜板代替。除 此之外 , 原先的镍金属缓冲层也被去掉了 , 其代价是单个 IGBT 芯片的容量 减少。为了弥补这一缺陷 , 本文需要在 DBC板上安置更多的 IGBT 芯片 [8] 。 IGBT模块是由不同的材料层构成 , 如金属 , 陶瓷以及高分子聚合物以 及填充在模块内部用来改善器件相关热性能的硅胶。他们的热膨胀系数以 及热导率存在很大的差异 , 在器件的工作过程中会出现意想不到的问题。 物理上 , 热导率代表了物体导热性能的大小。在 IGBT模块中 , 涉及到 的材料 , 其热导率绘成柱形图如下： 图 2 材料导热系数柱形图 热膨胀系数 (coefficient of thermal expansion, CTE) 是指物体在 -1 单位温度下体积的变化 , 其国际单位为 K 。对于 IGBT这种具有堆叠结构的 功率器件 , 它在正常工作下温度很高 , 因此不同的材料也会因热胀冷缩原 理产生不同程度的形变 , 进而影响器件的可靠性。图 3 绘出出了模块内几 种材料的热膨胀系数。 图 3 材料的热膨胀系数 有机材料的引入可以使接合线不被腐蚀 , 还有较高的击穿场强 , 然而 , 它在模块内部形成的有机薄膜会产生较大的寄生电容 , 进而影响器件的部 分性能。 除了材料的选择 , 事实上 ,IGBT 模块内部每层材料的厚度也有其规范。 2 3 传统的 IGBT模块里 , 陶瓷的主要成分为 Al O , 基板采用铜材料 ; 在高压 IGBT模块里 ,DBC内的陶瓷被 AlN 所取代 ; 后期 , 高压 IGBT模块又有所改进 , 主要变化在于使用碳化硅铝取代原先的铜基板。 表 1 不同 IGBT模块各层材料的厚度 单位 :mm 2 3 Al O 陶 AlN 陶瓷 ,Cu AlN 陶瓷 ,AlSiC 瓷 , Cu 基板 基板 基板 3 焊接层 a 0.05 0.05