原子沉积技术研究.pptVIP

原子沉积技术研究;目录;目录;大规模集成电路不仅在对民用设备如电视机、计算机等的发展起到重要的作用，同时在军事、通讯、航空航天等高科技领域也得到广泛的应用。 2010年行业总产值达2378.6亿元，同比增长35.5%，GDP占有率增至0.6%。 21世纪随着新材料技术的发展，集成电路小型化的趋势致使各电子器件线宽的特征尺寸更加细微。在新型材料研究和纳米技术的引进下，精微尺寸控制、表面高覆盖率和高均匀一致性成为微纳器件制备研究的重要课题。;国内制造水平;先进制造计划 (Advanced Manufacturing Initiative);建设国家安全关键产业的国内制造能力 启动 “材料基因组计划” 投资新一代机器人 开发创新型的节能制造工艺和材料;目录;集成电路线宽缩小所引起的薄膜需求： 栅极电介质、DRAM电容电介质需要高 k 薄膜材料(10nm)； 深宽比高达100:1以上的孔洞表面薄膜也需要高覆盖率； 互连扩散阻挡层也变得越来越薄。;P.A. Packan, Science, 1999;传统薄膜镀层技术的问题;原子沉积技术简介;ALD的工艺特点;E;选择添加工艺流程;自主装分子钝化剂;门电极自对准堆积;ALD的工艺应用;ALD制备的薄膜 ;太阳能电池技术发展的薄膜要求;其他纳米结构-纳米颗粒;目录;科学挑战;前驱体设计;A;自主设计ALD设备;利用气流来控制常压反应腔内不同前驱