基于半桥LLC谐振变换器的高频寄生参数分析及优化.pdfVIP

摘要 摘要 半桥LLC 谐振变换器因其效率高、结构简单、功率密度高等优点，广泛应用于对电源体积和效 率敏感的系统中。然而，高频下的寄生效应使其面临软开关失效、增益误差偏大、谐振电流畸形和 高压震荡等问题。这些问题使得半桥LLC 谐振变换器难以实现高频下的稳定性和高效性，从而限制 了该类变换器工作频率和功率密度的进一步提升。针对上述问题，本文开展并完成了以下工作： （1）建立了一种考虑副边侧寄生电容的S 域等效模型。基于此模型，可以分析副边侧寄生电容 如何造成谐振电流畸形和软开关失效。结果表明副边侧寄生电容与原边侧谐振电感发生谐振而导致 谐振电流畸形，且该电容越大电流畸形越严重；副边侧寄生电容因共享原边侧充电电流而导致软开 关失效，软开关失效增加了系统的开关损耗。（2 ）建立了一种考虑副边侧寄生电感的基波分析（FHA ） 模型。基于此模型，可以分析副边侧寄生电感如何造成整流管电压震荡和系统增益误差大。结果表 明副边侧寄生电感与整流管结电容发生谐振而导致整流管电压震荡，且该电感越大震荡幅度越大； 副边侧寄生电感使得电压增益在谐振频率附近偏离传统曲线而导致系统增益误差大，该增益误差增 加了系统的整流管损耗。（3 ）建立了一种考虑GaN HEMT 栅驱动寄生的双脉冲测试模型。基于此模 型，可以分析GaN HEMT 栅驱动寄生如何造成高压震荡和栅驱动毛刺。结果表明GaN HEMT 的漏 源电容与功率回路电感发生谐振而产生高压震荡，且该电容越大震荡幅度越大；功率回路中的dV/dt 耦合至GaN HEMT 的栅漏电容所产生的瞬时电流对栅源电容进行充电而产生栅驱动毛刺，该毛刺增 加了开关管的驱动损耗。根据分析结果，本文通过优化电路板布局和栅驱动高频回路、合理选择器 件类型，改进了传统设计方案，并最终在一台1MHz、12V/25A 半桥LLC 谐振变换器样机上验证了 方案的有效性。 实测结果表明，整流管电压震荡从13.8V 降至1.87V；栅驱动导通毛刺和关断毛刺分别从800mV、 2V 降至100mV、200mV ；高压震荡从31V 降至6V ；输出纹波从500mV 降至250mV 。谐振电流畸 形、软开关失效、系统增益误差大等现象均已消除。此外，系统的峰值效率从94.5%提升至96.8%。 实验结果满足设计指标要求。 关键词： 半桥LLC 谐振变换器，寄生效应，软开关，栅驱动 I Abstract Abstract The half-bridge LLC resonant converter is widely used in systems sensitive to power supply volume and efficiency due to the characteristic of high efficiency, simple structure and high power density. However, the high frequency parasitics cause lots of problems such as soft-switching failure, large gain error, resonant current malformation and high voltage oscillation. It is difficult for the half-bridge LLC resonant converter to achieve stability and high efficiency and the parasitics limit the further improvement of the operating frequency and power density of such converters. In view of these problems, the following work is completed: (1) An S-domain equivalent model co