MOS管各项参数介绍.pdfVIP

最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件 (Ta=25℃) 最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件 (Ta=25℃) VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压 (VDSS)是指漏-源未发生雪崩 VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压 (VDSS)是指漏-源未发生雪崩 击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额 击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额 定 VDSS。关于V(BR)DSS 的详细描述请参见静电学特性。 定 VDSS。关于V(BR)DSS 的详细描述请参见静电学特性。 VGS 最大栅源电压VGS 额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额 VGS 最大栅源电压VGS 额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额 定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受 定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受 的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持 VGS 在额 的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持 VGS 在额 定电压以内可以保证应用的可靠性。 定电压以内可以保证应用的可靠性。 ID - 连续漏电流 ID 定义为芯片在最大额定结温 TJ(max)下，管表面