半导体制制造技术.pptVIP

§1.3晶体的空间点阵结构 ◆筒单立方结构 Simple cubic 致密度η(又称空间利用率):晶体中原子所占体积与晶体总体积之比。 配位数cN:晶体中一个原子最近邻的原子数。(注意:不是格点数) §1.3晶体的空间点阵结构 ◆体心立方结构oy- Centered-Cubic 致密度η(又称空间利用率):晶体中原子所占体积与晶 配位数cN:晶体中一个原子最近邻的原子数。(注意:不是格点数) §1.3晶体的空间点阵结构 ◆面心立方结构Face- Centered-- Cubic 致密度η(又称空间利用率):晶体中原子所占体积与晶体总体积之比。 配位数cN:晶体中一个原子最近邻的原子数。(注意:不是格点数) 硅的晶格常数是543A。计算硅原子体密度。 答案:5×10°cm-3。 §1.3晶体的空间点阵结构 口金刚石结构与闪锌矿结构: 图示为金刚石结构,锗、硅单晶材料均为金刚石结构,它 是由两个面心立方结构套构形成 氧化过程描述 氧体流层 两个方程三个未知浓度 亨利定律:固体表面吸附元 素的浓度与固体表面外气体 中该元素的分气压成正比 C、=HP=TC H是亨利气体常数 图41氧化期间,氧化剂流动示意图 1D如的层T是滞留层厚度,C可用理想气体定律计算 n J1=h2(Cg-C)ha是质量输运系数 C V kT J 2=Do indio,ot J=kc Ks是化学反应速率常