光电子技术课后习题.docVIP

第一章 光电系统的常用光源 1、可见光的波长、频率和光子的能量范围分别是多少？ 解：可见光的波长为：380~780nm 频率可由公式算出： 光子的能量范围由公式可算出： 3、一只白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面1.5m的高处，用照度计测得正下方地面的照度为30lx，求出该灯的光通量。 解： 4、一只He——Ne激光器（波长为632.8nm）发出激光的功率为2mW。该激光束的平面发散角为1mrad，激光器的放电毛细管直径为1mm。 1）求出该激光束的光通量、发光强度、光亮度、光出射度。 2）若激光束投射在10m远的白色漫反射屏上，该漫反射屏的反射比为0.85，求该屏上的光亮度。 解：1）在时，V（λ）=0.24 又，且θ=1mrad=0.057度，故： 则发光强度 光亮度 光出射度 2）∵反射比为0.85，，则 光照面直径： 则屏上的光亮度： 第三章 光辐射探测器 9、探测器的，探测器光敏面的直径为0.5cm，用于的光电仪器中，它能探测的最小辐射功率为多少？ 解：归一化探测率为 则能探测的最小辐射功率为 11、某测辐射热计的热导，吸收系数为，求吸收5μW辐射功率后产生的温升。若电阻温度系数，求吸收辐射所引起的电阻相对变化率。 解：1）温升为： 2）电阻随温度的变化规律是： 则电阻相对变化率是： 13、一块半导体样品，有光照时电阻为50Ω，无光照时电阻为5000Ω，求该样品的光电导。 解：由光电导的定义知： 15、光敏电阻适用作光控继电器。如图3.95给出一个光控开关电路。光敏电阻为CdS器件。晶体管的β值为50，继电器K的吸合电流为10mA，。考虑弱光照情况，计算继电器吸合需多大的照度？（测得L=0 lx时，，L=100 lx时，，其中） 解：在弱光照下，光敏电阻的光电特性为： 且 由电路图可知： 又由电路图可知： 故最小照度为： 18、在T=300K（室温）时，硅光电池2CR21（光敏面积为5mmX5mm）,在辐射度下测得，考虑，试求： 1）同样温度下，辐照度时的 2）当将此硅光电池接在如图3.96所示的零伏偏置电路中，测量某受光面的照度时，测得输出电压为，问此时受光面的照度是多少？ 解：1）当时，开路电压与照度成对数关系： 并且： 硅光电池的短路电流与辐照度成正比： 2）此时 则： 又由于硅光电池的短路电流与辐照度成正比： 30、1）画出具有11级倍增极，负高压1200V供电，均匀分压的光电倍增管的工作原理图，分别写出各部分名称。 2）若该倍增管的阴极灵敏度,阴极入射光的照度为0.1lx，阴极有效面积为，各倍增极二次发射系数相等（δ=4），各级的电子收集率为1，试计算倍增系统的放大倍数和阳极电流。 解：1）见书P116图3.83（b），其中： Ds的s=11, Rn的n=12, -HV=-1200V 2）放大倍数 且 阴极电流 则阳极电流 33、现有GDB-423型光电倍增管的光电阴极面积为，阴极灵敏度，倍增系统的放大倍数为，阳极额定电流为20μA，求允许的最大光照。 解： 则 第四章 光电成像器件 6、某双列两相2048像元线阵CCD，其转移损失率，试计算其电荷转移效率η和电荷传输效率（）。 解： 电荷传输效率 因为该器件为双列两相2048像元线阵CCD，故每列有m=2048/2=1024位，且每位需移动2次，所以： 则 7、TCD1200D的中心距为14μm，它能分辨的最小间距是多少？它的极限分辨率怎样计算？ 解：可辨的最小间距就是像元间距=14μm 极限分辨率为：