重庆大学《电子技术一》考研真题2010年.docVIP

重庆大学《电子技术一》考研真题2010年 (总分：75.00，做题时间：90分钟) 一、{{B}}概念题{{/B}}(总题数：10，分数：40.00) 1.简述PN结在外加电压作用下，载流子的运动特点。（分数：4.00） __________________________________________________________________________________________正确答案：(当PN结加正向偏压时，外电场的方向与内电场方向相反，外电场削弱内电场，耗尽层变窄，扩散运动大于漂移运动，多子扩散形成正向电流。当PN结加反向偏压时，外电场的方向与内电场方向相同，外电