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类似于正向偏置的方法，可求得反向电流密度 式中，Js不随反向电压变化，称为反向饱和电流密度；负号表示反向电流方向与正向电流方向相反。 p-n结的正向和反向电流密度公式可统一用下列公式表示： 正向：V= Vf 反向：V= -Vr （3）I-V characteristic of a p-n junction p-n结的伏-安特性 单向导电性---整流 Ge、Si、GaAs： 0.3、 0.7、1V 具有可变电阻性 结论 VT Eg VD VT p-n结的单向导电性---整流 p-n结的温度效应 其中： 均与T有关 正向电流密度随温度上升而增加。 2. p-n结电容 (Capacitance of p-n Junctions) p-n结的直流伏-安特性表明： 1. 具有单向导电性。 2. 具有可变电阻性。 特别是在高频运用时，这个电容效应更为显著。 p-n结的交流特性表明: p-n结还具有可变电容的性质 p-n结电容包括势垒电容和扩散电容两部分 （1）势垒电容CT 由于势垒区电荷的变化表现出来的电容效应-势垒电容 也称结电容（Junction capacitance） 势垒电容 对于线性缓变结： 对于突变结 对于突变结： * 耗尽层近似条件成立 正偏下： 其中 : 对于线性缓变结： ——扩散电容 (2) 扩