电子技术基础模拟部分总复习(第六版)幻灯片课件.pptVIP

iB是输入电流，vBE是加在B、E两极间的输电压。 输入特性曲线— iB=f(vBE)? vCE= 常数 共发射极接法的输入特性曲线其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线，当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。 导通电压 锗管 0.1~0.3V 硅管 0.6~0.8V 输出特性曲线— iC=f(vCE)? iB= 常数 iC是输出电流，vCE是输出电压。 ⑴放大区： 发射结正偏、集电结反偏 ⑵截止区： IB=0以下的区域。 ⑶饱和区： 发射结和集电结均为正偏。 IC随着VCE的变化而迅速变化。显著控制区域。 VCE小于1伏，集电结的反向电压很小，对到达基区的电子吸引不够。 IC随着VCE的影响很大。 VCE大于1V左右。 发射结和集电结均为反偏。 画出小信号等效电路 Rb vi Rb Rb vi Rc 5.3 小信号模型分析 共射极放大电路 ic vce + - 交流通路 Rb vi Rc RL H参数小信号等效电路 共射极放大电路 放大电路如图所示。已知BJT的 ?=80， Rb=300k， Rc=2k， VCC= +12V，