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大功率LED封装工艺及方案 发布：2010-12-10 16:48 | 作者：—— |来源：华强LED网|查看：24次 TAG: LED封装大功率工艺及方案 囹芯片设计 从芯片的演变历程中发现，各大 LED生产商在上游磊晶技术上不断改进，如利用不同 的电极设计控制电流密度，利用 ITO薄膜技术令通过LED的电流能平均分布等，使在结构 上都尽可能产生最多的。再运用各种不同方法去抽出 LED发出的每一粒光子，如生产不同 外形的芯片；利用芯片周边有效地控制光折射度提高 LED取率，研制扩大单一芯片表面尺 寸（＞2mm2 ）增加发光面积，更有利用粗糙的表面增加光线的透出等等。 有一些高亮度LED芯片上p-n两个电极的位置相距拉近，令芯片发光效率及散热能力 提高。而最近已有的生产，就是利用新改良的溶解（ Laser lift-o ）及金属黏合技术（metal bonding ）,将LED磊晶晶圆从GaAs或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或 其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率 LED提高取光效率及散热能力。 封装设计 经过多年的发展，垂直（力3mm、（））5mm）和SMD灯（表面贴装LED ）已演变成一种 标准产品模式。但随着芯片的发展及需要， 开拓出切合大功率的封装产品设计， 为了利用自 动化组装技术降低制造成本，大功率的 SMD灯亦应运而生。而且，在可携式消费