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（ 4 ） p-Si TFT 制备中的掺杂及杂质激活 掺杂工艺 离子注入 汽相沉积（ CVD ） 杂质源 : P+, As+, B+ 等 杂质源 : POCl 3 ,PH 3 , B 2 H 6 杂质激活方法 热退火 快速热退火 激光退火 固相扩散 （ TFT 制备中基本不采用 ） （ TFT 制备中基本不采用 ） （ TFT 制备中采用 ） （ TFT 制备中采用 ） 第六章 薄膜晶体管（ TFT ） 主要内容 （ 1 ） TFT 的发展历程 （ 2 ） TFT 的种类、结构及工作原理 （ 3 ） p-si TFT 的电特性 （ 4 ） p-si TFT 的制备技术 （ 5 ） TFT 的应用前景 TFT 的发展历程 （ 1 ） 1934 年第一个 TFT 的发明专利问世 ----- 设想 . （ 2 ） TFT 的真正开始 ----1962 年，由 Weimer 第一次实现 . 特点：器件采用顶栅结构，半导体活性层为 CdS 薄膜 . 栅 介质层为 SiO, 除栅介质层外都采用蒸镀技术 . 器件参数：跨导 g m =25 mA/V, 载流子迁移率 150 cm 2 /vs, 最大振荡频率为 20 MHz. CdSe---- 迁移率达 200 cm 2 /vs TFT 与 MOSFET 的发明同步，然而 TFT 发展速度及应用远不及 MOSFET?! TFT 的发展历程 （ 3 ） 1962 年，第一个 MOSFET 实验室实现 . （ 4 ） 1973 年，实现第一个 CdSe TFT-LCD(6*6) 显示屏 .-----TFT 的迁移率 20 cm 2 /vs,I off =100 nA. 之后几年下降到 1 nA. （ 5 ） 1975 年，实现了基于非晶硅 -TFT. 随后实现驱动 LCD 显示 . ---- 迁移率＜ 1 cm 2 /vs, 但空气（ H 2 O,O 2 ) 中相对稳定 . （ 6 ） 80 年代 , 基于 CdSe, 非晶硅 TFT 研究继续推进 . 另外，实现 了基于多晶硅 TFT ，并通过工艺改进电子迁移率从 50 提升至 400. --- 当时 p-SiTFT 制备需要高温沉积或高温退火 . ---a-Si TFT 因低温、低成本，成为 LCD 有源驱动的主流 . （ 7 ） 90 年代后，继续改进 a-Si,p-Si TFT 的性能，特别关注低温 多晶硅 TFT 制备技术 .---- 非晶硅固相晶化技术 . 有机 TFT 、氧化物 TFT 亦成为研究热点 .--- 有机 TFT 具有柔性可弯曲、大面积等优势 . TFT 发展过程中遭遇 的关键技术问题？ 低载流子 迁移率 稳定性和 可靠性 低温高性能半 导体薄膜技术 低成本、大面 积沉膜 挑战 ： 在玻璃或塑料基底上生长出单晶半导体薄膜 ！ TFT 的发展历程 TFT 的种类 按采用半导体材料不同分为： 无机 TFT 有机 TFT 化合物 :CdS-TFT,CdSe-TFT 氧化物 :ZnO-TFT 硅基 : 非晶 Si-TFT, 多晶硅 -TFT 基于小分子 TFT 基于高分子聚合物 TFT 无 / 有机复合型 TFT ：采用无机纳米颗粒与聚合物共混 制备半导体活性层 TFT 的常用器件结构 双栅薄膜晶体管结构 薄膜晶体管的器件结构 TFT 的工作原理 一、 MOS 晶体管工作原理回顾 当 | V GS || V T |, 导电沟道形成 . 此时当 V DS 存在时，则形成 I DS . 对于恒定的 V DS, V GS 越大 , 则 沟道中的可动载流子就越多 , 沟道电阻就越小 , I D 就越大 . 即栅电压控制漏电流 . 对于恒定的 V GS , 当 V DS 增大时，沟道厚度从源极到漏极逐渐变 薄 , 引起沟道电阻增加 , 导致 I DS 增加变缓 . 当 V DS ＞ V Dsat 时 , 漏极 被夹断 , 而后 V DS 增大， I DS 达到饱和 . 工作原理：与 MOSFET 相似 ,TFT 也是通过栅电压来调节沟 道电阻，从而实现对漏极电流的有效控制 . 与 MOSFET 不同的是： MOSFET 通常工作强反型状态 , 而 TFT 根据半导体活性层种类不同 , 工作状态有两种模式： 对于 a-Si TFT 、 OTFT 、氧化物 TFT 通常工作于积累状态 . 对于 p-Si TFT 工作于强反型状态 . 工作于积累状态下原理示意图 TFT 的工作原理 TFT 的 I-V 描述 在线性区 , 沟道区栅诱导电荷可表示为 ) ( V V V C Q th g i i ? ? ? ? 在忽略扩散电流情况下，漏极电流由漂移电流形成，可表示为 dy dV Q W E Q W I i y i d ? ? ? ? ? …… .