铜铟镓硒薄膜太阳能电池技术和市场分析.pptVIP

銅铟镓硒薄膜太陽能電池 技術與市場分析  發展太陽能電池最重要三關鍵因素 不同階段著重的因素各不相同 1研究階段(硏宪單位或學術單位):效能的提昇 2初階段產品化:可靠性(目前 CIGS Solar cell保固在3~5年) 3.量產進人商品化階段:成本(材料成本、製程成本 Roll to roll and Flexible Coating Stability Reliabilit Cost Ink-printing 兩難 vacuum 0.2$/w? 2$/w  目前 cIGS Solar cel1國內外主要硏究機構 工研院技術發展方向 國外主導機構 ectro dep tion 美NREL歐 nAno ink 日NEDO其他 JPVD ☆ Evaporate 國內主導機構 多靶電子搶設成本 科院核能所與第五所 Sputtering(東都博士主準) 工研院太電中心 心靶材是關鍵 心能做出高均勻性 Copper-Indium-Gallium alloy targe做的出來嗎? ◆靶材做出來後打出來成分就對嗯? 工研院技術發展方向與願景 口由目前願內計劃提升到争取國家型計晝:以 printingnano名義申請實質進行PVD 方式長膜 口建立 base line→ Pilot line ,Production Line生產腺 g Roll to Roll: Dynamic State  不同世代技術需改善之方向 目前主要技術發展 1998 I generat ion CdS CIGS 變 2004投入廠百 Zno eliability generat ion Honda、 Showa Cds Cd free Cost down CIGS 厚度丶成分丶製程 光學特性 3 generat ion 2008 High eft 不同世代效能進步目標 投入廠商 4 generat ion 2 nd generation→30%理論極限 Panics、 Miasok stability 3rd generation +55-65% Multi junction 太陽能產樂各世代投入人才之差異性 2nd EE. phys material 3rd EE. phys material chemical Engineer  台灣與歐美日發展太陽能差異性 Materials/ Process/ Facilities整合發展 歌丶美、日 台湾 Siemens shell 具規模廠酋??2 元件丶機楲丶設備 元件丶機械丶設備·非自製 購買 turnkey 自製 Know how 生產 atent 代工低價大量生產  費用評估 技轉費用 設備費用 廠房設立 人員薪資 硏發材料費  技術支援 中科院 工硏院:太陽光電中心 核能所 中山大學:會百亨 ·逢甲大學:駱榮富 東華大學:翁明壽  烏何要發展CIGS太陽能電池 台灣目前發展替代能源主要集中在太陽能丶風力發電這兩區塊 而其中又以太陽能產業鏈較爲完整ν整體劊造的營業額也較高 太陽能暠凊潔環保之能涼’且來源不虞匱乏’故太陽能電池之開 發極具長期發展潛力。目前台灣以矽基太陽能電池篤主’上游的 昰圓材料98%卬賴進口·但矽材料價位價高’造成單單矽昰片佔整 個模組成本35~45之間,但由於台灣並非矽原材料及純化的主要生 產國’所以成本完全掌握在國外矽材料供應矞大廠MMC丶ESSA ( European Solar Silicon Assn.)、 Wacker hemlock(美國) JSs( Joint solar silicon) Tokuyama(日本)、REC(日本) M. Setek(日本)’但全球矽材料短缺的問題’卻也是現今台灣 與其他世界各國廠莤共同面臨的發展瓶頸’除了佔成本結構超過 五成的原料缺乏問題有待克服如何提高其能量轉換效率丶降低 矽昰圓厚度’亦是技衠硏發主軸’故如能朝材料成本較低廉以及 能大面積生產的薄膜太陽能電池發展’台灣必能在太陽能產業站 穩腳步  國內眾多廠藺近一兩年內一寯蜂的進入對於投入技術門檻較低的矽基太陽能 泄cell端例如∶昱昰(L產業億光轉投資)丶聯相(原晶能牛導體 廠聯電產業億光轉投資)丶新日光能源(力昰鎛投資)丶茂矽太陽能事業部丶 旺能(台達電)’在些公司中除了投入較早的茂迪及益通充分掌握長期料源 的供應合豹·且持續擴充產能掌握產業成長趨鹲·而邦些後進廠蔄對於料源 掌握的把握度低’在料源供應吃緊的狀況下(包括 solar wafer廠商)