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集成电路工艺基础及版图设计
◼ 1.1 引言
◼ 1.2 集成电路制造工艺简介
◼ 1.3 版图设计技术
◼ 1.4 电参数设计规则
◼ 集成电路的制造需要非常复杂的技术,它主要
由半导体物理与器件专业负责研究。VLSI设计者可
以不去深入研究,但是有必要了解芯片设计中的工艺
基础知识,才能根据工艺技术的特点优化电路设计方
案。对于电路和系统设计者来说,更多关注的是工艺
制造的能力,而不是工艺的具体实施过程。
◼ 由于SOC 的出现,给IC设计者提出了更高的要
求,也面临着新的挑战:设计者不仅要懂系统、电路,
也要懂工艺、制造。
◼ 集成电路设计与制造的主要流程框架
系
统
需
求
设计 掩膜版
芯片制 芯片检测 封装 测试
造过程
单晶、外
延材料
集成电路的设计过程:
功能要求
设计创意
行为设计(VHDL )
+
仿真验证 否
行为仿真
是
综合、优化——网表
否
时序仿真
是
布局布线——版图
后仿真
是 否
Sing off
—设计业— 集成电路芯片设计过程框架 From 吉利久教授
芯片制造过程
—制造业—
硅片
由氧化、淀积、离子注入或
蒸发形成新的薄膜或膜层
曝 光
用掩膜版
重复
20-30次 刻 蚀
测试和封装
集成电路芯片的显微照片
1.1 引 言
1. IC制造基本原理
1、电阻率:
从电阻率上分,固体分为三大类。在室温下:
金属: ρ0.001 Ω·cm
半导体: ρ=0.001 Ω·cm~10E9 Ω·cm
绝缘体: ρ10E9 Ω·cm
制造集成电路所用的材料主要包括硅 (Si )、 锗 (Ge )
等半导体, 以及砷化镓 (GaAs )、铝镓砷 (AlGaAs
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