2章 常用半导体器件及应用题解.docVIP

PAGE 1 第二章题解－PAGE 4 第二章 常用半导体器件及应用 一、习题 2.1填空 1. 半导材料有三个特性，它们是 、 、 。 2. 在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 3. 二极管的主要特性是 。 4．在常温下，硅二极管的门限电压约为 V，导通后的正向压降约为 V；锗二极管的门限电压约为 V，导通后的正向压降约为 V。 5．在常温下，发光二极管的正向导通电压约为 V， 考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在 mA。 6. 晶体管(BJT)是一种 控制器件；场效应管是一种 控制器件。 7. 晶体管按结构分有 和 两种类型。 8. 晶体管按材料分有 和 两种类型。 9. NPN和PNP晶体管的主要区别是电压和电流的 不同。 10. 晶体管实现放大作用的外部条件是发射结 、集电结 。 11. 从晶体管的输出特性曲线来看，它的三个工作区域分别是 、 、 。 12. 晶体管放大电路有三种组态 、 、 。 13. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的输入电阻 。 14．三极管的交流等效输入电阻随 变化。 15．共集电极放大电路的输入电阻很 ，输出电阻很 。 16．射极跟随器的三个主要特点是 、 、 。 17．放大器的静态工作点由它的 决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的 决定。 18．图解法适合于 ，而等效电路法则适合于 。 19．在单级共射极放大电路中，如果输入为正弦波，用示波器观察uo和ui的波形的相位关系为 ；当为共集电极电路时，则uo和ui的相位关系为 。 20. 在NPN共射极放大电路中，其输出电压的波形底部被削掉，称为 失真，原因是Q点 (太高或太低)，若输出电压的波形顶部被削掉，称为 失真，原因是Q点 (太高或太低)。如果其输出电压的波形顶部底都被削掉，原因是 。 21．某三极管处于放大状态，三个电极A、B、C的电位分别为9V、2V和1.4V，则该三极管属于 型，由 半导体材料制成。 22．在题图P2.1电路中，某一元件参数变化时，将UCEQ的变化情况(增加；减小；不变)填入相应的空格内。 (1) Rb增加时，UCEQ将 。 (2) Rc减小时，UCEQ将 。 (3) Rc增加时，UCEQ将 。 (4) Rs增加时，UCEQ将 。 (5) β增加时(换管子)，UCEQ将 。 题图P2.1 题图P2.1 23．为了使结型场效应管正常工作，栅源间PN结必须加 电压来改变导电沟道的宽度，它的输入电阻比双极性晶体管的输入电阻 。 24．由于晶体三极管 ，所以将它称为双极型器件，由于场效应管 ，所以将其称为单极型器件。 25． 对于耗尽型MOS管，UGS可以为 。对于增强型N沟道MOS管，UGS只能为 ，并且只有当UGS 时，才能形有id。 26．场效应管与三极管相比较，其输入电阻 、噪声 、温度稳定性 、放大能力 。 27. 场效应管放大器常用偏置电路一般有 和 两种类型。 28. 低频跨导gm反映了场效应管 对 控制能力，其单位为 。 解：（1）热敏、光敏、掺杂特性。 （2）五价、三价。 （3）单向导电性。 （4）0.5、0.7、0.1、0.2。 （5）1-2.5。 （6）电流型、电压型。 （7）NPN、PNP。 （8）锗、硅。 （9）极性和方向。 （10）正偏、反偏。 （11）截止区、放大区、饱和区。 （12）共射极、共基极、共集电极。 （13）小。 （14）静态工作点。 （15）高（大）、低（小）。 （16）输入与输出同相、电压放大倍数约等于1、输入