二极管的特性学习课件.pptVIP

G 31 反向恢复时间－ Trr RG-1 标准 Gulf Semiconductor Ltd. G 32 反向恢复时间－ Trr di/dt 标准 Gulf Semiconductor Ltd. G 33 正向浪涌－ Ifsm Ifsm －不可恢复的最大正向电流 Ifsm( tj-max) －不可恢复的最大正向电流 ( 结温条件） I 2 t －电流熔断值 ＝ ( Ifsm/ 2 ) 2 *0.01(A 2 s) Gulf Semiconductor Ltd. G 34 正向浪涌－ Ifsm Gulf Semiconductor Ltd. G 35 正向浪涌－ Ifsm ? 1 ，晶粒面积越大，器件 Ifsm 越大 ? 2 ，晶片的电阻系数越高时，器件的 Ifsm 越小 ? 3 ，器件 Vr 值越大时，它的 Ifsm 越小 ? 4 ， Irsm 能力上升时，则 Ifsm 能力下降 ? 5 ， Trr 越小， Vf 越大， Ifsm 越小 影响因素 Gulf Semiconductor Ltd. G 36 正向浪涌－ Ifsm ? 1 ，交流整流，直流开关整流满足最大浪涌冲 击要求 ? 2 ，根据 I 2 t 合理配置保险装置保护其它器件及 线路装置 ? 案例： 在分析客户端产品失效原因时，产品晶粒的表面烧痕，是判 定正向浪涌冲击或短路电流的造