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用于纳米级芯片制造基于单晶圆LPCVD工艺 文章出处: 半导体国际 更新于 -08-20 14:46:01 芯片 LPCVD工艺 CVD 化学气相沉积 ??????? 低压化学气相沉积（LPCVD）是化学气相沉积（CVD）一个分支，同时也是半导体集成电路制造工艺中必不可少关键工序之一。它关键用于多晶硅及其原位掺杂、氮化硅、氧化硅和钨化硅等薄膜生长。其基础原理是将一种或数种物质气体，在低气压条件下，以热能方法激活，发生热分解或化学反应，在衬底（如硅晶圆）表面沉积所需固体薄膜。 ??????? 扩散炉是现在主流8、12英寸集成电路生产线中常见LPCVD设备。其关键优点是工艺控制简单、成本低。然而，伴随集成电路工艺不停进步，特别到了纳米量级以后，对工艺要求日益严格。首先，原本某些简单工艺制程伴随要求提升而开始变得越来越复杂和不易控制。扩散炉已经难以满足正确控制要求。其次，伴随某些新材料、新技术引入，工艺集成对热预算（Thermal Budget）要求日益苛刻。高温处置时间以小时为单位扩散炉，和以秒为单位单晶圆LPCVD设备在热预算控制上已经无法比拟。 基于单晶圆LPCVD 图1 . 单晶圆LPCVD设备示意图。 ??????? 和扩散炉相比，基于单晶圆LPCVD设备有着显著优点：控制正确，工艺反复性、可靠性好，保护、保养简单和保护后复机便捷，机