可控硅整整流装置.pptVIP

NARO 可控硅整流装置 §1概述 可控硅整流装置是现代励磁系统中较为重要的一个环节,虽然 其原理并不深奥,但其在励磁系统中占重要的比例,对电厂运行维 护显得特别重要,弄清其工作原理和常见故障现象,对于提高维护 水平,提高励磁系统的投入率具有重要意义。  NARO §2可控硅的主要参数 可控硅又称晶闸管,是可控硅整流电路的关键 器件,所以在讲述可控硅整流电路的原理前,了 解一下可控硅的主要参数是非常必要的 可控硅的参数较多,包括各种状态下的电压 电流、门极参数及动态参数。为了正确使用可 控硅,不仅要了解它的伏安特性,而更重要的是 定量掌握它的主要参数。  NARO 为了正常使用可控硅,必须清楚它能承受多大的正 向电压而不转折(没有触发脉冲,不自行导通),承受多 大的反向电压而不击穿;在可控硅导通以后能允许通过 多大的电流而不致烧毁;另外还要注意该管的触发电压 和触发电流是多大;导通后的管压降是多少;维持电流 和掣住电流是多大等等。以上这些参数是选择可控硅是 必须考虑的问题。  NARO 1)可控硅的电压定额 (a)断态不重复峰值电压UsM Ubs是指在门极开路时,当加在可控硅上的正向阳极 电压上升到使可控硅的正向伏安特性急剧弯曲时所对应的 电压值(见图1)。断态不重复峰值电压Us应低于正向转 折电压Up,所留余量的大小由