半导体集成电路 片上系统SoC 编制说明.docVIP

国家标准报批资料 国家标准《半导体集成电路 片上系统（SoC）》 （征求意见稿）编制说明 一、工作简况 1、任务来源 本项目任务来源为国家标准化管理委员会文件“国家标准化管理委员会关于下达第一批推荐性国家标准计划的通知”（国标委发〔2019〕11号）。项目计划代号T-339，主办单位为中国电子技术标准化研究院。 2、主要工作过程 编制组首先收集了国内外相关标准及技术资料，并进行了整理和分析。 首先，编制组对我国国家标准《GB/T 12750-2006 半导体器件 集成电路 第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路）》的技术内容及其对当前片上系统产品考核的适用性进行了深入的研究。同时，编制组收集了片上系统国内外众多厂商的产品手册，并对手册技术指标进行了详细的分析。 编制组根据对上述国内外相关标准及技术资料的研究与分析，充分结合我国片上系统行业技术现状以及前期调研工作中所了解的各领域对片上系统的功能、性能要求及可靠性要求，编制了标准草案。 之后，编制组组织召开了行业讨论会，针对标准草案进行了逐条讨论，会后对标准草案做了进一步修改完善，包括调整了标准结构、补充了欠缺的技术内容、修正了表述不准确或有歧义的文字描述，形成了征求意见稿。 3、标准编制的主要成员单位及其所做的工作 标准编制的主要成员单位包括北京智芯微电子科技有限公司，开展了资料搜集与分析、标准重大问题的讨论等工作。 二、标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题 1、编制原则 本标准编制在参考国内外相关标准及技术资料的基础上，结合我国片上系统的技术现状，充分考虑我国各重点应用领域对片上系统的需求，确定具体技术要求，保证该标准能够切实符合当前的技术发展现状。 2、确定主要内容的依据 本标准规定了片上系统分类、技术要求、电测试方法及检验规则。． 国家标准报批资料 其中分类、技术要求等内容均根据当前片上系统的技术类型、产品功能及性能特点、封装特点、工作及贮存温度要求来确定。 对于检验规则，重点参考了《GB/T 12750-2006 半导体器件 集成电路 第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路）》。但GB/T 12750-2006是等同IEC标准制定的，其制定年代较早，且多年未修订，部分技术内容已不能完全适应当前的技术发展。因此本标准在其所规定的检验要求基础上，对所引用的试验方法标准进行了版本更新，并根据新版本试验方法中的具体规定、行业内产品检验实际控制要求，进行了部分试验条件的调整，使试验条件规定更加科学、合理，更加符合当前的技术发展水平。同时结合片上系统产品的具体特点，补充了GB/T 12750中未规定的部分试验项目如键合强度试验、电磁兼容试验。 3、编制过程中解决的主要问题（做出的贡献） 编制过程中主要解决如下问题： （1） 确定了功能及电特性参数体系要求 片上系统为定制性产品，不同产品的功能根据应用需求的不同而各有差别。 为此编制组以国内外各主流公司的产品手册为依据，确立了片上系统最基本的存储、交互、数据安全、运行、休眠功能，并给出了通用的静态、动态参数体系。 （2） 确定了电测试方法 电测试方法主要引用《GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路》，同时重点针对片上系统软硬件结合的系统级功能测试，给出了具体的测试方法。 （3）确定了检验要求 1）部分试验条件进行了加严。如B组、C组的强加速稳态湿热试验，其试验条件由130℃，85%RH，24h加严至130℃，85%RH，96h/110℃，85%RH，264h。这主要是由于原标准中规定的试验条件过于宽松，已不符合当前的技术发展水平及应用需求。而修改后的试验条件参考我国最新修订发布的强加速稳态湿热试验方法国家标准，并且与国外先进标准JEDEC标准相关规定以及当前国内外快闪存储器产品考核普遍采用的试验条件相符。此外，对于空封器件的C组温度循环试验，其试验条件由10次加严至100次。 如温度循环试验条件除规定了次数外，对部分试验条件进一步予以明确。）2． 国家标准报批资料 进一步明确了试验温度为贮存温度范围。寿命试验条件除规定了1000h外，进一步明了试验温度为最高工作温度。高温贮存试验条件明确为最高贮存温度，1000h。 3）补充了部分试验项目。对于片上系统而言，除半导体集成电路产品通用的考核要求外，作为系统级电路，更关注电磁兼容问题。因此本标准在D组检验中加入了电磁兼容的相关考核。此外，在B组检验中针对空封器件补充了键合强度试验。 三、主要试验[或验证]情况分析 本标准中的各项要求已在该类产品的研制、生产、供货检验中得到验证。 四、知识产权情况说明 本标准不涉及专利及知识产