晶界层电容容器视在表现.pptVIP

电子陶瓷材料 University of EA 第四章陶瓷电容器的分类 按IEC标准,陶瓷电容器被分为I、Ⅱ Ⅲ共三大类型。 I型陶瓷电容器是电容量随温度变化稳定 度较高的电容器,主要用于高频谐振回路中, 常被称为高频陶瓷电容器。按照介电常数高低 ,I型陶瓷电容器又可分为低介高频瓷与高介 高频瓷,其中,高介高频瓷包括了热补偿高频 瓷、热稳定高频瓷。 University of Electronic science Ⅱ型陶瓷电容器以高介电常数为主要特 征,其材料主体是具有钙钛矿型结构的铁电 强介磁料,其基本组成主要有和弛豫铁电体 。铁电强介质陶瓷的高介电常数来源与材料 中存在的自发极化随外电场而呈现的其介电 常数高达。由于介电常数受温度影响很大 ,电容器容量温度特性通常用在规定温度范 围内的上、下极值容量相对于室温下的容量 变化百分比来表示。 ectropic science 用这种材料制作的电容器在频率超过一定范 围时衰减幅度很大,因而主要应用于低频电 路或对容量要求不大苛刻的中高频电路。最 为常见的Ⅱ型陶瓷电容器有以下几类特性: Y5V、Y5U、X7R特性。 University of Electronic science Ⅲ型陶瓷电容器又被称为半导体陶瓷电容器 ,它是一种利用特殊的显微结构(晶粒或瓷 体半导体,晶界或表面绝缘化)来获取巨大 的宏观效益的高性能陶瓷电容器,用于制作 这类电容器的主要材料有钛酸钡和钛酸锶。 这类电容器的结构类型主要有晶界层(BLC )和表面阻挡层(SLC)两种。晶界层陶瓷 电容器具有介电常数高(30000~50000), 使用频率宽(0~Hz),温度变化率及介电 University of Electronic science 损耗相对较小的特点,这种重要的性能优势 使晶界层电容器对于优化电子线路、提高电 路工作频率特性和温度适用范围、改善整机 性能具有重要作用,如容量温度变化率在范 围之内、介质损耗小于的晶界层电容器,在 技术发达国家被广泛用于各种高性能电子仪 器设备中。被晶界层电容器制作的小型大容 量穿心电容器应用于电源及微波电路滤波接 口时,可增加各种人为或自然的电磁干扰型 University of Electronic science 号的抑制、消除功能,从而提高军事电子装备 的抗电磁干扰能力。 I型陶瓷电容器常用来表示温度每变化1℃ 时介电常数的相对变化率,可用下式表示: 8 at University of Electronic science 1.I型陶瓷电容器瓷的分类 金红石瓷:金红石 钛酸盐瓷:CaiO3、STiO3、MgTO3 按主晶相分{锡酸盐瓷:CSnO3、SSmO3 锆酸盐瓷:CaZO3 铌铋锌系:znO-Bi2O3-Mb2O3(烧结温度900°C) University of Electronic science ■1.a2值不同的原因 有正、负、零,取决于不同温度下质点的极 化程度,也决定于相应温度下单位体积的质点 数 a、Tio2、 CaTiO cb、 CaSno3、 Caro3 ec、BaO,4io2 University of Electronic science ■aTiO2、 CaTiO3有强大的局部内电场 T4高价、小半径→离子位移极化→强大的局部 内电场→电子位移极化 TO八面体 Ei↑→8很大 个→nE 7个,E,。2≤0 University of Elecfronic science