delld600系列上电原理很详细.pptVIP

第四章 Notebook 电源 ? 一基本知识 ? 笔记本的高度集成化对电源输出电压和功 率的稳定性要求越来越高 .PWM(pulse wide model) 电源无疑是各个厂商的首选 . ? 以下将从基本功率 MOSFET 的工作原 理 ,NOTEBOOK 的上电时序及结合分析实际 的电源电路的原理等方面入手阐述 Notebook 的上电过程． 一基本知识 ? MOSFET ? 所谓 MOSFET 指的是金属－氧化－半导体 （ (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ）组成．其结构就如同字面上的意义是 由金属，氧化层及半导体构成．包括 NMOS 和 PMOS ．若將这二种 MOS 合在一起使用则称为互 补式金属半导体，即 MOSFET CMOS （ Complementary MOS ）。 ? CMOS 的优点为操作比较省电，因此一般电路布 局设计就是以 CMOS 为基本单元來设计。 一基本知识 ? PMOS 简介 ? PMOS ，指的是利用 空穴來传导电性信号 的金氧半导体。 PMOS 的电路符号如 下图，而其结构则如 右图所示，是由正型 掺杂形成的漏极 (drain) 及源极 (source) ，与闸 极 (gate) 及闸极下面的 氧化层所构成。 一基本知识 ? PMOS 的工作原理 ? 当在闸极 (gate) 施以负 偏压时，就会在氧化 层下方薄区内感应出 许多电洞，当在源极 (source) 施加一个偏压 之后，聚集的电洞就 可经由源极 (source) 与 漏极 (drain) 之间的通 道导通。 一基本知识 ? NMOS 的简介 ? NMOS ，指的是利用 电子来传导电性信号 的金氧半晶体管。 NMOS 的电路符号如 下图，而其结构图如 左图所示，是由负型 掺杂形成的漏极与源 极，与在氧化层上的 闸极所构成。 一基本知识 ? NMOS 的工作原理 ? 当在闸极施以正偏压 时，就会在氧化层下 方薄区内感应出许多 电子。当在漏极施加 一个偏压之后，聚集 的电子就可经由源极 与漏极之间的电子信 道导通。 ? 以下将详细介绍 NMOS 的工作特性． N 沟道增强型 MOSFET 的结构 P 型衬底 B S i O 2 N + N + S D G 取一块 P 型半导体作为衬底，用 B 表示。 用氧化工艺生成一层 SiO 2 薄膜 绝缘层。 然后用光刻工艺腐蚀出两个孔。 扩散两个高掺杂的 N 型区。从而 形成两个 PN 结。（绿色部分） 从 N 型区引出电极，一个是漏极 D ，一个是源极 S 。 在源极和漏极之间的绝缘层上镀 一层金属铝作为栅极 G 。 N 沟道增强型 MOSFET 的符号如 左图所示。左面的一个衬底在内部与 源极相连，右面的一个没有连接，使 用时需要在外部连接。 D G S B D G S B N 沟道增强型 MOSFET 的工作原理 对 N 沟道增强型 MOS 场效应三极管的工作原理，分两个方面进行讨 论，一是栅源电压 U GS 对沟道会产生影响，二是漏源电压 U DS 也会对沟 道产生影响，从而对输出电流，即漏极电流 I D 产生影响。 1 ．栅源电压 U GS 的控制作用 S D G P N + N + S i O 型衬底 DS GS U 2 = 0 空穴 正离子 电子 负离子 + + + + 先令漏源电压 U DS =0 ，加入栅源电 压 U GS 以后并不断增加。 U GS 带给栅极正电荷，会将正对 SiO2 层的表面下的衬底中的空穴推走， 从而形成一层负离子层，即耗尽层，用 绿色的区域表示。 同时会在栅极下的表层感生一定 的电子电荷，若电子数量较多，从而在 漏源之间可形成导电沟道。 沟道中的电子和 P 型衬底的多子导 电性质相反，称为 反型层 。此时若加上 U DS ，就会有漏极电流 I D 产生。 反型层 显然改变 U GS 就会改变沟道， 从而影响 I D ， 这说明 U GS 对 I D 的控制作用。 ＞ 0 DS U 当 U GS 较小时，不能形成有 效的沟道，尽管加有 U DS ，也不 能形成 I D 。当增加 U GS ，使 I D 刚