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基于 CMOS 的 ISFET 生物传感器 的研究与应用 ISFET 电 化学特性 及工艺 ISFET 信号处 理电路 ISFET 生 物传感 器应用 选题 背景 结构特点 敏感机制 电学特性 与 CMOS 兼容性 电路设计依据 差分对管模式电路 差分电流模式电路 生物医学应用 无线电子胶囊 研究意义 ISFET 电化学 特性及工艺 ISFET 信号 处理电路 ISFET 生物 传感器应用 选题背景 生物传感器技术是生物医学电子学的一项重要 的研究内容 CMOS 是集成电路的主流工艺,应用其制造 ISFET 器件 有助于实现 ISFET 生物传感器的集成化 COMS 工艺兼容性 生物传感器 研究一种基于 CMOS 工艺的 ISFET 生物传 感器具有重要 研究价值 对 H 敏感的氢离子敏场效应管( pH-ISFET )传感器是 生物传感器中一种重要和基础的传感器 ISFET 传感器 ISFET 结构图 敏感膜与溶液反应 产生界面势 ( b ) ISFET 器件结构原理图 ? N ? N Si P ? B S G D 4 3 N Si 封装材料 参比电极 溶液 thin Oxide ( a ) MOSFET 器件结构原理图 ? N ? N Si P ? B S D Polysilicon thin Oxide ISFET 电化学 特性及工艺 ISFET 信号 处理电路 ISFET 生物 传感器应用 选题背景 目前应用广泛的是 4 3 N Si 3 2 O Al 5 2 O Ta 具有良好的选择性和抗渗透性,制备工艺集成工艺厂商较为熟悉 4 3 N Si ISFET 敏感机制 KT q pH pH eo ? ? ? 溶液 界面 界面表面基净电荷面密度 )] ( ) ( ) ( [ 3 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? BH f AH f A f qN o 溶液 界面 ? 固液表面形成扩散双电层相当于扩散双层电容 eo eo diff C ? ? ? ? ? ) / exp( ] [ ] [ KT q H H eo ? ? ? ? ? 溶液 界面 波尔兹曼分布 根据 pH 值定义 ] ln[ ? ? ? H pH diff eo eo eo eo C q pH pH int ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 界面 界面 引入 则 界面 界面 pH N ? ? ? ] [ int ? 界面势与溶液的 pH 值呈线性变化关系 Si 3 N 4 绝缘体表面存在两种表面基团,硅醇基( AH 2 =SiOH )和胺基( BH=SiNH ) ? ? ? ? ? ? ? H A AH K ? ? ? ? ? ? ? H AH AH K 2 ? ? ? ? ? ? ? ? 3 2 BH H BH N K ] [ ] ][ [ 3 AH H A K ? ? ? ? ] [ ] ][ [ 2 3 ? ? ? ? AH H AH K ] [ ] ][ [ 3 3 2 ? ? ? ? BH H BH K N ISFET 电化学 特性及工艺 ISFET 信号 处理电路 ISFET 生物 传感器应用 选题背景 DS I DS V 三极管区 饱和区 雪崩区 TH GS V V ? DS GS V V ? n 沟增强 MOSFET 的输出特性 当 时, MOSFET 工作在三极管区 TH G S D S V V V ? ? ? 0 ] 2 ) [( 2 DS DS TH GS OX D V V V V L W C I ? ? ? ? ? D S TH G S V V V ? ? ? 0 当 时, MOSFET 工作在饱和区 ) 1 ( ) ( 2 2 DS TH GS OX D V V V L W C I ? ? ? ? ? ? GS V GS V TH V 当栅源之间加正向偏压 ,且有 , MOSFET 开启 OX i OX B SS F MS TH C Q C Q Q V ? ? ? ? ? ? ? 2 ? N ? N Si P ? B S D Polysilicon thin O
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