电工电子的学光和物质相互作用.pptVIP

、光吸收与光发射 光吸收:光通过固体时,与固体中存在的电子、激子、晶格振动及杂质和缺陷等相互 作用而产生光的吸收 光发射:固体吸收外界能量,其中一部分能量以可见光或近于可见光的形式发射出来。 由此可见,研究固体中的光吸收和光发射,可直接地获得有关固体中的电子 状态,即电子的能带结构及其它各种激发态的信息。 在各种波长的光波中,能为人眼所感受的叫可见光的波长范围是=400-760mm的窄 小范围。对应的频率范围是:ⅴ=7.5~43×1014Hz。在可见光范围内,不同频率的 光波引起人眼不同的颜色感觉。图1是可见光不同的波长所对应的不同颜色。 760630600570500450430400m 红橙黄绿青蓝紫 图1不同波长的可见光所对应的不同颜色。 长《徽 先子能量《电于伏特 图4某一假设半导体材料的吸收光谱。 )基本吸收区:谱范围在紫外一可见光一近红外光。电子从价带跃迁到导带引起光的强吸收,吸收 系数很高,常伴随可以迁移的电子和空穴,出现光电导。 2)吸收边缘界限:电子跃迁跨越的最小能量间隙,其中对于非金属材料,还常伴随激子(受激电子和 空穴互相束缚而结合在一起成为一个新的系统—激子)的吸收而产生精细光谱线。 3)自由载流子吸收:导带中电子或价带中空穴在同一带中吸收光子能量所引起的,它可以扩展到整 个红外甚至扩展到微波波段,显然吸收系数是电子(空穴)的浓度的函数,金属材料载流子浓度 较高,因而这一区吸收谱线强度很大,甚至掩盖其它吸收区光谱。 4)晶体振动引起的吸收:入射光子和晶格振动(声子)相互作用引起的,波长在20~50μm。 5)杂质吸收:杂质在本征能带结构中引入浅能级,电离能在0.01eV左右,只有在低温下易被观察到。 (为什么?) 6)自旋波或回旋共振吸收:自旋波量子、回旋共振与入射光产生作用,能量更低,波长更长,达到 mm量级。 11直接跃迁 基本吸收分为两类,一是直接跃迁:另一是间接跃迁。 假定:半导体是纯净半导体材料,0K时其价带满而导带空。电子吸收光子 能量产生跃迁,保持波数(准动量)不变,称为直接吸收,这一过程无需声子的 辅助,如图7所示。常见半导体GaAs就属于此类直接带隙半导体 E,终态能量 E初志舵量 图7电子吸收光子能量从价带到导带的直接跃迁。 12问接跃迁 验中还常常发现在纯的半导体材料如锗、硅和重掺杂的半导体中出现平方吸收边,这种吸收被 认为来自间接跃迁的结果。有两种情况可以导致这种吸收:一种声子参与下的跃迁,电子不仅吸收 光子,同时还和晶格交换一定的振动能量,即放出或吸收一个声子。这种吸收与直接跃迁光吸收 不同,其吸收系数与温度密切相关(为什么?)。其原因是不同的温度晶格振动是不同的,声子的数 密度随温度有一分布,且光吸收系数(1-103cm3)比直接跃迁(10+-10°cm1)小得多。另一种是杂 质散射参与的吸收。由于某些半导体材料其导带底k值和价带顶k值不同(间接带隙材料),电子从 价带到导带的跃迁由声子参与来完成,如图8所示, 图8电子吸收光子能量从价带到导带的间接跃迁。E表示声子的能量 当光子能量在E-E2时,电子要吸收一个声子才能跃迁到导带。若光 子能量在E-+E。时,电子要发射一个声子才能跃迁到导带 1.3晶格吸收 由于T≠0K,所有固体都存在晶格振动,因此所有固体都具有一个由于光子和声子相 互作用所引起的吸收区域。晶格振动的频率在红外波段(10~100um),红外吸收光谱和 喇曼散射被广泛地用来硏究材料的晶格振动问题。而通过对晶格振动的硏究可以了解 材料的结构、相变以及杂质和缺陷的有关问题。 导带(3) Eg=.V 提供的德量和①光道内的 价带( 颜色的出现是因为部分白色 Eh(可见)E 光线被吸收以及可见光谱中 的其他部分的光线选择性透 绝缘体(碳)(光透射) 在禁带间的杂质和陷能级可能 产生选择性的光吸收(光反射) 射。 绝缘体和半导体的光学现象 绝缘体是一种分子晶体,禁带宽度(E,) 发电子 (CB) 大于4ev绝缘体(单晶体形式)正常倩况 下是透明的(无色) 传统的半导体硅和锗其禁带宽度(E。)分 别是1.1eV和07eV,因此能吸收可见光 辐射;它们是不透明的 与g 半导体(硅)(吸收可见光) 1.某固体的禁带宽度(E,)为3eV,阳光透射过这一固体最可能是什么颜色? 2.阳光透射过某一透明固体显示出绿色,这一固体的禁带宽度(E2)为多少(单位为ev)? 3最大波长是多少的辐射能透射过:(a)硅,禁带宽度Eg=1leV(b)锗,禁带宽度Eg=0.7eV (c)化合物砷化镓,禁带宽度E。=143eV6.解释杂质半导体和本征半导体的区别 4.氧化锌(ZnO)的禁带宽度(E,)为3,2eV (a)在可见光辐射下它是透明的吗? (b)你认为在室温下这一材料是导体吗?(给