磁控溅射技术优缺点.docVIP

磁控溅射技术优缺点 磁控溅射自问世后就获得了迅速的发展和广泛的应用，有力地冲击了其它镀膜方法的地位，主要是由它以下的优点决定的： 1、沉积速度快、基材温升低、对膜层的损伤小； 2、对于大部分材料，只要能制成耙材，就可以实现溅射； 3、溅射所获得的薄膜与基片结合较好； 4、溅射所获得的薄膜纯度高、致密性好、成膜均匀性好； 5、溅射工艺可重复性好，可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜； 6、能够精确控制镀层的厚度，同时可通过改变参数条件控制组成薄膜的颗粒大小； 7、不同的金属、合金、氧化物能够进行混合，同时溅射于基材上； 8、易于实现工业化。 但磁控溅射也存在着一些问题，主要有： 1、磁控溅射所利用的环状磁场迫使二次电子跳栏式地沿着环状磁场转圈。相应地，环状磁场控制的区域是等离子体密度最高的部位。在磁控溅射时，可以看见溅射气体——氩气在这部位发出强烈的淡蓝色辉光，形成一个光环。处于光环下的靶材是被离子轰击最严重的部位，会溅射出一条环状的沟槽。环状磁场是电子运动的轨道，环状的辉光和沟槽将其形象地表现了出来。磁控溅射靶的溅射沟槽一旦穿透靶材，就会导致整块靶材报废，所以靶材的利用率不高，一般低于40％； 2、等离子体不稳定； 3、不能实现强磁性材料的低温高速溅射，因为几乎所有的磁通都通不过磁性靶子，所以在靶面附近不能加外加强磁场。