基于碳化硅MOSFET的三相光伏并网逆变器研制.pdfVIP

中文摘要 摘 要 随着社会科技的发展，人们对能源的需求与日俱增，传统化石能源资源有限， 必然会面临枯竭。因此，以太阳能光伏为代表的可再生新能源在世界范围内受到 了广泛的关注。并网逆变器作为光伏发电系统与电网连接的关键环节，其性能对 整个光伏发电系统的性能影响重大。 传统的光伏并网逆变器中普遍采用IGBT 器件，由于IGBT 器件的开关速度受 到电流拖尾效应限制，导致器件的开关损耗较大，并且逆变器的开关频率难以提 高，限制了光伏逆变器效率和功率密度的进一步提升。与传统硅基器件相比，基 于宽禁带半导体材料的碳化硅MOSFET 器件的材料绝缘击穿场强更高，在耐压值 相同的情况下，器件的导通电阻更低，并且器件结电容、门极电荷量更小，可以 达到更快的开关。在光伏并网逆变器中使用SiC MOSFET 代替IGBT 有利于提高 光伏逆变器的效率、功率密度以及可靠性。本文以研制基于SiC MOSFET 的三相 光伏并网逆变器为目的，对提高三相光伏逆变器的效率和功率密度具有一定理论 意义和工程实用价值。 与Si IGBT 相比，SiC MOSFET 最大的特点是开关速度快，对电路寄生参数更 加敏感。在基于SiC MOSFET 的光伏逆变器中，由电路寄生参数引起的开关振荡、 器件误触发等问题更加严重。同时，由于器件开关速度快，SiC MOSFET 对驱动 电路也有特殊要求。本文通过分析SiC MOSFET 的静态特性、动态特性，总结了 SiC MOSFET 对驱动电路的要求。然后利用Cree 公司提供的SiC MOSFET 寄生参 数模型，在 LTSpice 软件中搭建双脉冲测试仿真电路，结合仿真对SiC MOSFET 开关振荡问题、误触发问题、驱动振荡问题进行了分析。 通常基于 Si IGBT 的光伏逆变器开关频率为 10~20kHz，本文设计了应用于 10kW SiC MOSFET 三相光伏并网逆变器的硬件电路，逆变器开关频率设计在 40kHz ，有利于减小滤波器体积，提高逆变器功率密度。针对减小主功率电路和驱 动电路的杂散电感，本文对逆变器主功率电路和SiC MOSFET 驱动电路的电路设 计、硬件布局以及PCB 设计做了优化。由于SiC MOSFET 的开关速度更快，逆变 器中的电磁干扰问题相比于Si IGBT 逆变器更加严重，在控制电路设计时考虑了适 当抗干扰措施，以提高电路可靠性。 光伏并网逆变器中并网控制算法通常由数字信号处理器DSP 实现，随着逆变 器开关频率提升，对DSP 的计算能力要求也更高。本文设计中采用TI 公司推出的 TMS320F28377S 作为逆变器控制计算核心。在软件程序中，采用TMS320F28377S DSP 的CLA 协处理器完成并网控制算法，主CPU 完成逻辑控制、通信功能。CLA I 重庆大学硕士学位论文 和主CPU 并行运行，进一步提高了逆变器的计算处理性能。 此外，在进行逆变器并网实验调试时，系统电磁干扰问题更加严重并且 DSP 仿真器对电路干扰十分敏感，导致经常出现仿真器断线的情况。因此在设计中开 发了配套的上位机调试软件，简化了调试过程。在所研制的SiC MOSFET 逆变器 样机上进行了相关调试和实验测试，验证了设计的可行性。 关键词：SiC MOSFET；三相光伏并网逆变器；高频化 II 英文摘要 Abstract With the development social science and technology, peoples demand for energy is increasing day by day. However, fossil energy resources are limited and faced with the thread of resource depletion. Therefore, renewable