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第6章集成电路器件及
SPICE模型
6.1无源器件结构及模型
62二极管电流方程及SPCE模型
63双极晶体管电流方程及SPCE模型
64结型场效应管JFET模型
6.5 MESFET模型
6.6M○S管电流方程及SPCE模型
6.7SPCE数模混合仿真程序的设计流程及方法
61无源器件结构及模型
集成电路中的无源元件包括:
互连线、电阻、电容、电感、传输线等
611互连线
互连线设计应该注意以下方面:
大多数连线应该尽量短
最小宽度
保留足够的电流裕量
多层金属
趋肤效应和寄生参数(微波和亳米波)
寄生效应
612电阻
■实现电阻有三种方式:
晶体管结构中不同材料层的片式电阻(不准确)
2专门加工制造的高质量高精度电阻
3.互连线的传导电阻
欧姆层
欧姆连接层
L
阻值计算
最小宽度
(a)电阻结构
(b)等效电路
图(a)单线和U型电阻结构
(b)它们的等效电路
1.栅、漏短接并工作在饱和区的MOS有源电阻
VGs vv
S+V-D
图6.2栅漏短接的MOS有源电阻及其|V曲线
直流电阻Rm交流电阻
W(-V7N)2
aV
1 tL
Vec=V
8m L,Eox W(V-vTN
2.Vas保持不变的饱和区有源电阻
R
VGS VTN
条件:V保持不变
图63饱和区的NMOS有源电阻示意图
直流电阻Rn交流电阻r
对于理想情况,O′点的交流电阻应为无穷
大,实际上因为沟道长度调制效应,交流电
阻为一个有限值,但远大于在该工作点上的
直流电阻。在这个工作区域,当漏源电压变
化时,只要器件仍工作在饱和区,它所表现
出来的交流电阻几乎不变,直流电阻则将随
着漏源电压变大而变大。
总结:有源电阻的几种形式
(a)(d)和(c)直流电阻Rn交流电阻r
(b)和(e)直流电阻Ron交流电阻ra
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