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2020-09-10 发布于天津
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模电试题及答案1-2.docx

模拟电子技术复习题综合第章选择题在本征半导体中掺入微量的价元素形成型半导体在型半导体中自由电子浓度空穴浓度大于本征半导体温度升高以后自由电子增多空穴数基本不变二三四五等于小于自由电子数和空穴数都增多且数目相同空间电荷区是由构成的电子结加正向电压时空间电荷区将变窄基本不变稳压管的稳压区是其工作在空穴数增多自由电子数基本不变自由电子数和空穴数都不变空穴离子分子变宽正向导通无法确定反向截止反向击穿当晶体管工作在放大区时发射结电压和集电结电压应为前者反偏后者也反偏前者正偏后者反偏前者正偏后者也正偏前者反

PAGE PAGE # 《模拟电子技术》复习题综合（第 1、2章） ?选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。 2、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 3、本征半导体温度升高以后， __C_。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 A.二 B.三 C.四 D五 B.等于 C.小于 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 5、 PN结加正向电压时，空间电荷区将 A.变窄 B.基本不变 6、稳压管的稳压区是其工作在 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 D.自由电子数和空穴数都不变 B.空穴 C.

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