IBC电池的工艺流程.pdfVIP

准备—— N 型 FZSi，电阻率约为 2.5 Ωcm 。制作前进行了双面抛光， 并在 0.55% 的 HF 酸溶液中浸泡，去除金属颗粒等杂质 + B 掺杂——背面（ BS）外延 B 掺杂，形成 P ，制作发射极 掩模 1—— PECVD 沉积氮化硅，厚度约 200nm ，作为后道工艺的掩模 酸洗 1——利用去除未经曝光的光刻胶，漏出需要做 BSF 的区域，并且用 BHF （buffered hydro ?uoric ）去除需要做 BSF 区域的氮化硅 刻蚀 1——利用 HF 和 HNO 3 去除 BSF 区域的 Emitter 。利用 Si 的各向异性和 氮化硅的各项同性差异可以在相同时间内做到 Si 和氮化硅的差异性刻蚀， Si 被 腐 蚀 的 速 度 大 于 氮 化 硅 ， 从 而 做 出 氮 化 硅 悬 臂