基于IGBT的PWM变流器控制.pdfVIP

. 基于 IGBT 的 PWM 变流器控制 目前在各个领域实际应用的整流电路几乎都是晶闸管相控整流电路或二极管整流电路。晶闸管整 流电路的输入电流滞后于电压，其滞后角随着触发延迟角α的增大而增大，位移因数也随之降低。同 时，输入电流中谐波分量也相当大，因此功率因数很低。二极管整流电路虽然位移因数接近 1，但输入 电流中谐波分量很大，所以功率因数也很低。如前所述， PWM 控制技术首先是在直流斩波电路和逆变 电路中发展起来的。 随着 IGBT 为代表的全空性器件的不断进步， 在逆变电路中采用的 PWM 控制技术 以相当成熟。目前， SPWM 控制技术已在交流调速用变频器和不间断电源中获得了广泛应用。把逆变 电路中的 SPWM 控制技术用于整流电路，就形成了 PWM 整流电路。通过对 PWM 整流电路的适当控 制，可以使其输入电流非常接近正弦波，且和输入电压同相位，功率因数近似为 1.这种整流电路也可 以成为单位功率因数变流器，或高功率因数整流器。 一、 IGBT 简介 由图 1 看出 IGBT 包含 P+/N-/P/N+ 四层结构，可以认为 IGBT 是由一个 MOSFET 和一个 PNP 三极管组成，由栅极控制的 MOSFET 来驱动 PNP 晶体管；也可以把它看成是由一个 VDMOS 和一个 PN 二极管组成。 。以图 1 为例分析 IGBT 的工作模式。 在图 1 所示的结构中，栅极 G 与发射极 E 短接且接正电压、集 电极接负压时，器件处于反向截止状态。此时 J1、J3 结反偏、 J2 结正偏， J1、J3 反偏结阻止电流的流通，反向电压主要由 J1 承担。当栅极 G 与发射极 E 短接，集电极 C 相对于栅极加正电 压时， J1、J3 结正偏、 J2 结反偏，电流仍然不能导通，电压主 要由反偏结 J2 承担，此时 IGBT 处于正向截止。 PT 型 IGBT 由 于缓冲层的存在通过牺牲反向阻断特性来获得 图 1 较好的正向阻断特性，而 NPT 型 IGBT 则拥有较好的正反向阻断特性。当集电极 C 加正电压，栅极 G 与发射极 E 施加电压大于阈值电压时， IGBT 的 MOS 沟道开启，器件进入正向导通状态。 GTR 、GTO 是双极型电流驱动器件，由于电导调制效应，气导通能力很强，但开关速度较慢，所 需驱动功率打，驱动电路复杂。而电力 MOSFET 是单极性电压驱动器件，开关速度快，输入阻抗高， 热稳定性好，所需驱动功率下且电路简单。 IGBT 综合了 GTR 和 MOSFET 的良好特性。因此成为中、 大功率电力设备的主导器件，并在继续努力提高电压和电流容量。 二、 PWM 整流器原理 1、PWM 控制原理 由于期望的逆变器输出是一个正弦电压波形，可以把一个正弦半波分作 N 等分。然后把每一等分 的正弦曲线与横轴所包围的面积都用个与此面积相等的等高矩形脉冲来代替，矩形脉冲的中点与正弦 波每一等分的中点重合。 这样， 由 N 个等幅不等宽的矩形脉冲所组成的波形为正弦的半周等效。 同样， 正弦波的负半周也可用相同的方法来等效。 .. . 这一系列脉冲波形就是所期望的逆变器输出 SPWM 波形。由于各脉冲的幅值相等，所以逆变器 可由恒定的直流电源供电，逆变器输出脉冲的幅值就是整流器的输出电压。当逆变器各开关器件都是 在理想状态下工作时，