2.5 半导体PN结的伏安特性（21-27）.pdf

半导体PN结的伏安特性 21/65 三、PN结的伏安特性 1. PN结加正向电压时的导电情况 PN结正偏：外接电源E后，P区的电位高于N区的电位，称为 外接正向电压，也称为正向偏置，简称正偏。 外 原理：外电场方向与PN结内电 场方向相反，削弱了内电场。 于是内电场对多子扩散运动 的阻碍减弱，扩散电流加大。 内 扩散电流远大于漂移电流， 可忽略漂移电流的影响。 结论： PN结正偏时，呈现低阻性。 22/65 2. PN结加反向电压时的导电情况 PN结反偏：P区的电位低于N区的电位，称为外接反向电压， 也称为反向偏置，简称反偏。