4.9 场效应管衬底效应（35）.pdf

35/73 集成电路中多个MOS管衬底的处理原则：所有衬底接在 一起；保证两个PN结反偏。 处理方法： NMOS管—uBS加一负压 PMOS管—uBS加一正压 衬底效应 ： 在uGS和uDS不变、uBS微变 时，同样会导致漏极电流 的微变，衬底跨导定义为 Δ i D g m b  Δ u B S u D S , u G S 为 常数