光源的P-I特性测试.docVIP

  • 193
  • 0
  • 约1.43千字
  • 约 3页
  • 2020-09-14 发布于浙江
  • 举报
光源的P-I特性测试 一、实验目的 1.了解半导体光源LED与半导体激光器LD的P-I特性。 2.掌握LD光源P-I特性曲线的测试方法。 二、实验内容 1.绘制数字光发射机光源的P-I特性曲线。 三、实验仪器 1.光纤通信实验系统1台。 2.示波器1台。 3.万用表1部。 4.FC/PC光纤跳线1根。 数字光发射机的指标包括:半导体光源的P-I特性曲线测试、消光比(EXT)测试和平均光功率的测试。接下来的三个实验我们将对这三个方面进行详细的说明。 半导体激光器的输出光功率与驱动电流的关系如图13-1所示,该特性有一个转折点,相应的驱动电流称为门限电流(或称阈值电流),用Ith表示。在门限电流以下,激光器工作于自发发射,输出荧光功率很小,通常小于100pW;在门限电流以上,激光器工作于受激发射,输出激光,功率随电流迅速上升,基本上成直线关系。激光器的电流与电压的关系相似于正向二极管的特性。 P-I特性是选择半导体激光器的重要依据。在选择时,应选阈值电流Ith尽可能小,Ith对应P值小,而且没有扭折点的半导体激光器,这样的激光器工作电流小,工作稳定性高,消光比大,而且不易产生光信号失真。且要求P-I曲线的斜率适当。斜率太小,则要求驱动信号太大,给驱动电路带来麻烦:斜率太大,则会山现光反射噪声及使自动光功率控制环路调整困难。 半导体激光器具有高功率密度和极高量子效率的特点,微小的电流变化

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档