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学 海 无 涯 ;学 海 无 涯 ;学 海 无 涯 ;学 海 无 涯 ;学 海 无 涯 ;;学 海 无 涯 ;学 海 无 涯 ;学 海 无 涯 ;学 海 无 涯 ;;;学 海 无 涯 一、二极管的电容效应 二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容 CB 和扩 散电容 CD。 势垒电容 CB（Cr） 前面已经讲过，PN 结内缺少导电的载流子，其电导率 很低，相当于介质；而 PN 结两侧的 P 区、N 区的电导率高，相 当于金属导体。从这一结构来看，PN 结等效于一个电容器。 事实上，当 PN 结两端加正向电压时，PN 结变窄，结中 空间电荷量减少，相当于电容放电，当 PN 结两端加反向电压 时，PN 结变宽，结中空间电荷量增多，相当于电容充电。这 种现象可以用一个电容来模拟，称为势垒电容。势垒电容与普通电容不同之处，在于它的电容量并 非常数，而是与外加电压有关。当外加反向电压增大时，势垒电容减小；反向电压减小时，势垒电 容增大。目前广泛应用的变容二极管，就是利用 PN 结电容随外加电压变化的特性制成的。 扩散电容 CD PN 结正向偏置时，N 区的电子向 P 区扩散，在 P 区形成一定的非平衡载流子的浓度分布， 即靠近 PN 结一侧浓度高，远离 PN 结的一侧浓度低。显然，在 P 区积累了电子，即存贮了一定数量 的负电荷；同样，在 N 区也积累了空穴，即存贮了一定数即正电荷。当正向电压加大时，扩散增 强，这时由 N 区扩散到 P 区的电子数和由 P 区扩散到 N 区的空穴数将增多，致使在两个区域内形成 了电荷堆积，相当于电容器的充电。相反，当正向电压减小时，扩散减弱，即由 N 区扩散到 P 区的 电子数和由 P 区扩散到 N 区的空穴数减少，造成两个区域内电荷的减少，、这相当于电容器放电。 因此，可以用一个电容来模拟，称为扩散电容。 总之，二极管呈现出两种电容，它的总电容 Cj 相当于两者的并联，即 Cj＝CB + CD。二极 管正向偏置时，扩散电容远大于势垒电容 Cj≈CD ；而反向偏置时，扩散电容可以忽略，势垒电容 起主要作用，Cj≈CB 。 二、二极管的等效电路 二极管是一个非线性器件，对于非线性电路的分析与计算是比较复杂的。为了使电路的分 析简化，可以用线性元件组成的电路来模拟二极管。??线性电路的电压、电路关系和二极管外特性 近似一致，那么这个线性电路就称为二极管的等效电路。显然等效电路是在一定条件下的近似。 二极管应用于直流电路时，常用一个理想二极管模型来等效，可把它看成一个理想开关。 正偏时，相当于开关闭合（ON），电阻为零，压降为零；反偏时，相当于开关断开（OFF）， 电阻为无限大，电流为零。由于理想二极管模型突出表现了二极管最基本的特性--单向导电性，所 以广泛应用于直流电路及开关电路中。 在直流电路中如果考虑到二极管的电阻和门限电压的影响。实际二极管可用图 Z0112 所示 的电路来等效。;学 海 无 涯 在二极管两端加直流偏置电压和工作在交流小信号的条件下，可以用简化的电路来等效。 图中 rs 为二极管 P 区和 N 区的体电阻。 三、二极管的开关特性 二极管正偏时导通，相当于开关的接通；反偏时截止相当于开关的断开，表明二极管具有 开关特性。不过一个理想的开关，在接通时开关本身电阻为零，压降为零，而断开时电阻为无穷 大，电流为零，而且要求在高速开关时仍具有以上特性，不需要开关时间。但实际二极管作为开关 运用，并不是太理想的。因为二极管正向导通时，其正向电阻和正向降压均不为零；反向戳止时， 其反向电阻也不是无穷大，反向电流也不为零。并且二极管开、关状态的转换需要一定时间．这就 限制了它的开关速度。因此作开关时，应选用正向电阻 RF 小、反向电阻 RR 大、开关时间小的开关 二极管。;学 海 无 涯 在使用二极管的过程中，如由于 PN 结功耗（反向电流与反向电压之积）过大，使结温升 高，电流变大，循环反复的结果，超过 PN 结的允许功耗，使 PN 结击穿的现象叫热击穿。热击穿后 二极管将发生永久性损坏。 对于硅 PN 结，击穿电压在 7V 以上的为雪崩击穿；4V 以下的为齐纳击穿；在。4～7V 之间 的两种情况都有。无论哪种击穿，只要控制反向电流的数值不致引起热击穿，当反向电压下降到击 穿电压以下，其性能可以恢复到未击穿前的状况。 稳压管的击穿特性 稳压管的正向特性与一般二极管相同，而反向击穿特性很陡峭。 稳压管的主要参数 稳定电压 VZ Vz 稳压管反向击穿后其电流为规定值时它两端的电压值。不同型号的稳压管其 Vz 的范围不 同；同种型号的稳压管也常因工艺上的差异而有一定的分散性。所以，Vz 一般给出的是范围值， 例如 2CW11 的 Vz 在 3.2～4.5V （测试电流为 10mA