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2020年光伏异质结电池 市场分析报告 2020年9月 HJT 电池兼具高转换效率与短工艺流程 纯异质结电池实验室转换效率已超过 25%：目前国内外对异质结电池的研究已大范围展开，转换效 率亦逐步攀升。现在在 M2 的标准硅片尺寸下，纯异质结结构电池的转换效率世界纪录为 25.11%，由 我国汉能成都研发中心创造，且此转换效率是在使用量产设备和量产工艺的前提下取得的，具备相 当程度的量产可能性。同时，叠加 IBC 技术组成的 HBC 电池转换效率已达到 26.7%。 图表 1. 异质结电池实验室最高转换效率 25.5% 25.0% 24.5% 24.0% 23.5% 23.0% 22.5% 22.0% 21.5% 21.0% 汉能 Kaneka Panasonic 晋能 中智 上海微系统所 实验室最高效率 资料来源：中科院电工所，市场研究部 图表 2. NREL 晶硅光伏电池转换效率图（实心圆点为异质结电池） 资料来源：NREL，市场研究部 5 高转换效率得益于电池材料和结构：HJT 异质结电池以 N 型单晶硅片为衬底，在经过清洗制绒的 N 型硅片正面依次沉积厚度为 5-10nm 的本征 a-Si:H 薄膜和 P 型掺杂 a-Si:H 薄膜以形成 p-n 异质结，在硅 片背面依次沉积厚度为 5-10nm 的本征 a-Si:H 薄膜和 N 型掺杂 a-Si:H 薄膜形成背表面场，在掺杂 a-Si:H 薄膜的两侧再沉积透明导电氧化物薄膜（TCO），最后通过丝网印刷或电镀技术在电池两侧的顶层 形成金属集电极。HJT 电池中的本征非晶硅薄膜（i-a-Si:H）有效降低了晶硅/非晶硅异质结表面的复合 速率，同时补偿了本征非晶硅层自身存在的悬挂键缺陷，在硅片表面获得了令人满意的钝化效果， 显著提升了电池的开路电压和转换效率。 图表 3. 异质结电池的基本结构 资料来源：Green，市场研究部 简单的电池结构决定了较短的生产工艺流程：从电池结构上看，异质结电池由中心的硅片基底叠加 两侧的数层薄膜组成，整体结构颇为简单，各层材料之间基本不存在交叠、贯穿等现象。HJT 电池 生产过程的核心即为各层薄膜的沉积，不涉及扩散、注入等工艺，整体而言其工艺流程较短，主工 艺仅有 4 步。相对于同属于 N 型电池、但生产工艺需要 10-20 步的 IBC 和 TOPCon 电池，HJT 电池较短 的工艺流程在一定程度上降低了工艺控制的复杂程度和产业化的难度。 图表 4. 异质结电池生产工艺流程 清洗制绒 沉积 TCO 膜 （约 20%） 光注入 退火 （＜10%） 沉积非晶硅膜 制作金属电极 检测 （50%-60%） （约 10%） 资料来源：中科院电工所，市场研究部（注：深红色为主工艺流程，红色数字为设备价值量占比） HJT 电池设备与现有主流工艺设备不兼容：HJT 电池各步工艺分别对应清洗制绒设备、非晶硅薄膜沉 积设备、TCO 膜沉积设备、金属化设备等各个主工艺设备，其中非晶硅薄膜沉积设备与 TCO 膜沉积 设备不应用于现有主流单晶 PERC 电池的生产制造，而清洗制绒、金属化设备与 PERC 电池设备类似， 但仍有不同之处。整体而言 HJT 电池生产设备与单晶 PERC 电池生产不兼容，亦不完全与 TOPCon、 IBC 等其他 N 型电池设备兼容。 6 图表 5. 各电池技术路线工艺流程对比 HJT电池 PERC电池 N-TOPCon电池 IBC电池 清洗制绒 清洗制绒 清洗制绒 清洗制绒 双面PECVD镀a- Si膜（p/i/n） 扩散 前扩散硼 磷扩散 激光制备 激光制备 正面氮化硅掩膜 沉积 SE SE 去除PSG 和背结 去除PSG 和背结 背面氮化硅掩膜 沉积 LPCVD背面 正面油墨涂覆 （全面） 双面氧化 氧化 背面油墨涂覆 （局部） LPCVD沉积 磷扩散层腐蚀 本征多晶硅 （无油墨区域） 油墨清洗 硼扩散 离子注入/扩散P 氢氟酸除 氧化层 退火 前表面 前表面镀 正面氮化硅/氧 SiNx AlOxSiNx 化硅复合膜沉积 背面氧化 铝沉积 正面全面 油墨涂覆 背面局部油墨涂 覆（扩硼区） 氧化铝层腐蚀 （无油墨区） 油墨清洗 双面PVD 镀TCO膜 背表面 AlOxSiNx 背表面镀 背面氮化 硅沉积 SiNx 激光背面开槽（掺杂区中 间） 双面Ag丝 印与烧结 丝印与 烧结 双面Ag丝 印与烧结 光诱导铜 锡电镀 光注入 光再生 测试 光再生 测试 电极退火 测试 测试 资料来源：中科院电工所，市场研究部 7 PECVD：提效与降本之匙 HJT 核心工艺：非晶硅薄膜沉积 HJT 电池转换效率与非晶硅薄膜质量直接相关：HJT 电池之所以具备较高的光电转换效率，核心原因 在于其具备显著高于其他结构电池的开路电压，而较高的开路电