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- 2020-09-19 发布于浙江
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一、
1、示波屏上的波高与声压成正比。
既:△=20lgP2/P1=20lgH2/H1 (1NP=8.68dB 1dB=0.115NP)
2、声压反射率r和投射率t分别为:
r=Pr/ PO=Z2-Z1/Z2+Z1 t=Pt/ PO =2Z2/Z2+Z
3、声强反射率R和投射率T分别为:
R=r2 =(Z2-Z1/Z2+Z1)2 T=4Z1Z /(Z2+Z1)2由以上几式得:t-r=1 T+R=1
4、声压往复透射率T往:探头接收到的回波声压Pa与入射波声压PO之比。既:T往=Pa/PO=4Z1Z /(Z2+Z1)2
5、反射、折射定律:
sinαL/CL1=sinα1L/CL1= sinα1S/CS1=sinβL/CL2=sinβS/CS2
6、第一临界角。αⅠ=arcsinCL1/CL2 第二临界角。αⅡ=arcsinCL1/CS2
第三临界角:αⅢ=arcsinCS1/CL1
7、(1)薄板工件的衰减系数测定:α=(20lgBm/Bn-δ)/2x(n-m)
对于多次反射:α=[20lgBm/Bn-δ(n-m)]/2x(n-m)
(2)厚板工件的衰减系数测定:α=(20lgB1/B2-6-δ)/2x
对于2次波、3次波;α=(20lgB2/B3-3.5-δ)/2x。
对于1次波、3次波;α=(20lgB1/B3-9.5-δ)/4x。
二
1、近场区长度:N=D2S/4λ= R2S/λ= FS/πλ= FS?/Cλ
2、圆盘源辐射的纵波声场的第一零值发散角;
θ0=arcsin1.22λ/Ds≈70λ/Ds
3、波束未扩散区与扩散区:b=1.64N
4、矩形波源的近场区长度N=Fs/πλ,未扩散区b=1.64N,
半扩散角θ0=arcsinλ/2a≈57λ/2a,
5、近场区在两种介质中的分布;公式N=D2S/4λ只适用均匀介质。在水、钢两种介质中,当水层厚度较小时,进场区就会分布在水、钢两种介质中,设水层厚度为L,则钢中剩余进场区长度N为:
N=N2-LC1/C2= D2S/4λ- LC1/C2,
6、横波近场区长度;方形 N=FS/πλs2*cosβ/cosα
圆形 N=D2/4λs2*cosβ/cosα
横波声场中,第二介质中的近场区长度:
N`=N-L2= FS/πλs2*cosβ/cosα-L1tgα/tgβ
FS-波源面积 λs2-介质Ⅱ中横波波 L1-入射点至波源的距离 L2-入射点至假想波源的距离
半扩散角;对于圆片形声源:?0=arcsin1.22λS2/DS=70λS2/DS
对于矩形正方形声源:?0=arcsinλS2/2a=57λS2/2a
三
1、计算垂直线性误差D=(∣d1∣+∣d2∣)% 。d1 —实测值与理想值的最大正偏差;d2—实测值与理想值的最大负偏差。
2、计算水平线性误差; δ=∣αmax∣/0.8b*100% αmax—α2、α3、α4中最大者;b—示波屏水平刻度值(一般为10)。
3、斜探头K值和折射角βs:K= tgβs=L+L0-35/反射体中心厚度
(分别为B=70、C=30、D=15mm)。
4、信噪比;△=20lgH信/H噪。
四
1、(1)按声程调节扫描速度时:一次波探伤时(τ∫≤T),缺陷至入射点的声程x∫=nτ∫,则缺陷在工件中的水平距离为:l∫=x∫sinβ= nτ∫sinβ 、深度为:d∫= x∫cosβ= nτ∫cosβ。二次波探伤T<τ∫≤2T时,则缺陷在工件中的水平距离为:l∫=x∫sinβ= nτ∫sinβ 、
深度为:d∫= 2T-x∫cosβ= 2T-nτ∫cosβ。
(2)按水平调节扫描速度时:
一次波探伤(τ∫≤T)时,
则缺陷在工件中的水平距离:l∫= nτ∫ 深度:d∫= l∫/K= nτ∫/K。
二次波探伤T<τ∫≤2T时,
则缺陷在工件中的水平距离:l∫= nτ∫ 深度:d∫=2T- l∫/K=2T- nτ∫/K。
(3)按深度调节扫描速度时:
一次波探伤(τ∫≤T)时,
则缺陷在工件中的水平距离为:l∫= Knτ∫ 深度为:d=nτ∫。
二次波探伤(T<τ∫≤2T时,
则缺陷在工件中的水平距离为:l∫= Knτ∫ 、深度为:d∫=2T- nτ∫。
2、(1)外圆周向探测时,缺陷位置由深度H和弧长L来确定则:
H=R-[(Kd)2+(R-d)2]0.5 L=Rπθ/180= Rπ/180*tg-1Kd/R-d
结论:当探头从圆柱曲面外壁作周向探测时,弧长L总比水平距离l值大,但深度H却总比平板工件中的缺陷深度d小。
(2)内圆周向探测时,缺陷位置由深度h和弧长l来确定则:
h=[(Kd)2+(r+d)2]0.5-r l=rπθ/180= rπ
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