硅NPN三极管的设计与平面工艺研究马慧莉四川大学物理学院2004级.docxVIP

硅 NPN 三极管的设计与平面工艺研究 马慧莉 四川大学物理学院 2004 级微电子专业 摘要 ：本文介绍根据所要求的设计目标设计出 NPN 三极管的工艺参数和各区参数，用抛光 好的硅片通过氧化、 扩散、 光刻这三个最基本的平面工序， 制备出能用晶体管特性测试仪测 试放大特性和击穿特性的硅平面 npn 晶体管管芯。 通过对所制备管芯特性的测试分析， 理解 工艺条件对硅 NPN平面晶体管的参数的影响 关键词 ：双极晶体管，工艺，放大倍数，击穿电压 一、引言 自从 1948 年晶体管发明以来，半导体器件工艺技术的发展经历了三个主要阶段： 1950 年采用合金法工艺，第一次生产出了实用化的合金结三极管； 1955 年扩散技术的采用为制 造高频器件开辟了新途径； 1960 年，硅平面工艺和外延技术的出现，是半导体器件制造技 术的一次重大革新， 它不仅使晶体管的功率和频率特性得到明显提高和改善， 也使晶体管的 稳定性和可靠性有了新的保证。 硅外延平面管，在超高频大功率、 超高频低噪声、 小电流高 增益等方面都有了新的突破，达到了更高的水平。 在上个世纪，半导体器件制造中，硅外延 平面工艺是最普遍采用的一种。有了硅平面工艺，才使人们早已设想的集成电路得以实现， 为电子设备的微小型化开辟了新的途径。 双极型晶体管是最先（ 1947 年）出现的三端半导体器件，由两个 pn 结组成，是两种极