电子技术基础中的常用公式.docxVIP

7.1 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： D iD I R( sat) ( eVT 1) 式中， iD 为流过二极管的电流， uD 。为加在二极管两端的电压， V T 称为温度的电压当量，与热力学温度成 正比，表示为 V T = kT/q 其中 T 为热力学温度，单位是 K ； q 是电子的电荷量， q=1.602× 10-19C； k 为玻耳兹曼 常数， k = 1.381 × 10-23 J／ K 。室温下，可求得 V T = 26mV 。 IR(sat)是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻 RD 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压 U D 与流过二极管的直流电流 I D 之比，即 U D RD I D RD 的大小与二极管的工作点有关。通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。不过应注意的是，使用 不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同。其原因是二极管工作点的位置不同。一般二极管的正向直流电阻在 几十欧姆到几千欧姆之间，反向直流电阻在几十千欧姆到几百千欧姆之间。正反向直流电阻差距越大，二极管 的单向导电性能越好。 GS0103 交流等效电阻 r d duD rd ( )Q r d 亦随工作点而变化，是非线性电阻。通常，二极管的交流正向电阻在几～几十欧姆之间。 需要指出的是，由于制造