《电力电子技术》第1章晶闸管.ppt

第二章 可控整流2 共12页 * PN结也有着最高电压，最高电流和最高功率的限制，由此引出这些概念 第二章 可控整流2 共12页 * 第二章 可控整流2 共12页 * 第二章 可控整流2 共12页 * 第二章 可控整流2 共12页 * 第二章 可控整流2 共12页 * 第二章 可控整流2 共12页 * 第二章 可控整流2 共12页 * 第二章 可控整流2 共12页 * 第二章 可控整流2 共12页 * E=2第二章 可控整流2 共12页 * 第二章 可控整流2 共12页 * 第二章 可控整流2 共12页 * 第二章 可控整流2 共12页 * 这里是晶闸管内部管芯实际的结构， 它是由硅单晶体材料构成器件；为一四层三端器件：底部为P型硅晶材料，定义为P1层，它直接与阳极相连，再上一层为N型硅晶材料，定义为N1层，再加一层P型单硅材料，定义为P2层，P2层一方面利用导线引出门极控制端，另一方面再叠加一层N2层，N2层引出阴极端。 第二章 可控整流2 共12页 * 至此，我们对晶闸管的外形，结构与电气符号有了大概的掌握。 第二章 可控整流2 共12页 * 第二章 可控整流2 共12页 * 由此，引出晶闸管的开关实验的几个结论 ( 第一次课到此结束） 第二章 可控整流2 共12页 * 前面我们从晶闸管的外部工作情况对器件进行了描述，这里我们将深入到芯片内核，对其工作原理进行解释。 第二章 可控整流2 共12页 * 将晶闸管NI层和P2层各分为两部分，是PNP,NPN的公共部分 则可将晶闸管看成由PNP型和NPN型两个晶体管的互连， 一个晶体管的集电极同时又是另一管的基极。 第二章 可控整流2 共12页 * 当晶闸管加上正向阳极电压，门极也加上足够的门极电压时，则有电流Ib从门极流入NPN管的基极，NPN管导通后，其放大后的集电极电流Ic2流入PNP管的基板使PNP导通，该管放大后集电极电流IC1又作为基极电流流人NPN管的基极，如此循环，产生强烈的正反馈过程，造成两个晶体管的饱和导通，从而使晶闸管由阻断迅速转为导通状态。 由于是正反馈，当IG能够引发NPN管导通后，两个晶体管形成正反馈自驱动，此时去除IG，仍能维持晶闸管的导通。 半控器件的本质也可根据此原理得到解释 第二章 可控整流2 共12页 * 针对PNP写出电流方程；针对NPN写出电流方程 考虑PNP的基尔霍夫电流定律；考虑至器件的基尔霍夫电流定律 将1,2式代入3式，再将4式代入Ik，化简有如下公式： 式中?1和?2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流，Ico为J2结的反向漏电流 第二章 可控整流2 共12页 * 两个晶体管的电流放大倍数a1和a2的大小是随着发射极电流大小IC1(即Ia)和IC2(即Ik)的改变而变化． 其变化情况如图。 说明图中的描述方法，图中有两幅图合成，一是a1(Ic1)的曲线，另一个是a2(Ic2)的曲线。 第二章 可控整流2 共12页 * 我们做出晶闸管的电压与电流的曲线，即为晶闸管的伏安特性。 在第一象限，电压与电流均为正值，反映了其正向工作特性。 在第三象限，电压与电流均为负值，反映了其反向工作特性。 第二章 可控整流2 共12页 * 我们首先分析其正向工作特性。 当门极触发电流IG=0时，晶闸管在正向阳极电压作用下只有很小的漏电流，晶闸管处于正向阻断状态，其特性为高阻抗区。 随着正向阳极电压的加大，晶闸管的正向漏电流也逐渐增加，当阳极电压达到正向转折电压UBO时，阳极电流IK突然急剧增大，特性从高阻区(阻断状态) 到达低阻区(导通状态)。 门极末加触发信号仅由于阳极电压过大，使处于反偏的J2结中的少数载流子得到足够大的能量，能通过碰撞产生更多的载流子，新生的载流子在电场作用下又获得较高的能量，结果在J 2结形成雪崩，造成晶闸管的雪崩击穿导通，这也是非正常导通。 第二章 可控整流2 共12页 * UBO的定义与工作电压限值关系； 如果在晶闸管门极加上触发电流Ig足够大时，只需很小的正向阳极电压，就可使晶闸管从阻断变为导通。晶闸管导通后管压降很小，其阳极电流IA的大小决定于外加电压和负载。 晶闸管导通后的伏安特性与二极管的正向伏安特性相似。当逐渐减小晶闸管的阳极电压时，其阳极电流也随之减小，当阳极电流IA小于维持电流Im，晶闸管就从导通转换为阻断状态。 第二章 可控整流2 共12页 * 晶闹管的反向伏安特性位于第三象限。它是反向阳极电压与反向阳极漏电流的关系曲线，其特性与一般二极管的反向特性相似。 在正常情况下．当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极是否加上触发信号，晶闸管总是处于反向阻断状态，只流过很小的反向漏电流。 反向电压增加，反向漏电流也逐渐增大，当反向