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半导体器件原理 提纲 ◆半导体中的载流子及其运动 ◆P-N结的特性 ◆MOS晶体管工作原理及特性 ◆MOS晶体管电路基本结构单元及特性 ◆硅平面工艺简介(E/ D NMOS工艺结构介绍) n介介 2020/6/1 半导体中的载流子及其运动 ◆硅单晶 正四面体,金刚石结构,晶 体的性质与晶向有关,表面 的性质与晶面有关 硅原子最小距离:0.235nm 晶格常数:0.543089nm 2020/6/1 半导体中的载流子及分布 ◆半导体的电阻率介于导体和绝缘体之间 导体:p10492cm 绝缘体:p1010cm 半导体:104p100cm ◆导电能力的决定因素 σ=1/p=nqu n:载流子的浓度,决定因素 q:载流子的电荷 :载流子的迁移率(相差不大) 2020/6/1 半导体中的载流子及分布 ◆硅单晶导电性能 硅原子四个价电子,与周围四 Si a Si SiE Si F 个原子各出一个电子形成共价 键→每个原子周围八个电子 共价键晶体 Si 热激发→价带电子跃迁到导带 载流子→晶体具有导电性 电子 导带 Si Si 禁带宽度,Eg 空穴价带 n2n/5/1 半导体中的载流子及分布 ◆本征半导体中载流子及分布◆施主、受主杂质 电子空穴浓度相等 施主杂质,可给出一个电 nino=po 子→P,As (NvNc)1/2 exp(-Eg/2KT) 受主杂质,可接受一个电 常温下,