光网络技术 激光器发光的原理 项目二§2-2-1-1-b半导体激光器发光的原理.pptVIP

光 网 络 技 术 主讲人： 林 琪 电话Technology of optical network QQ目录 CONTENTS 半导体能带分布 01 半导体激光器的工作原理 02 能带分布 能带分布---费米能级 * 费米－狄拉克统计分布 核外电子在不同能级上占据的几率由下列规律决定： 其中Ef为费米能级；k为玻尔兹曼常数；T为绝对温度。 Ef费米能级是一个表明电子占据能级状况的一个标志， 费米能级越高表明在较高的能级上有电子分布。 费米能级 能带分布---费米能级 * 对费米－狄拉克统计分布的讨论 在 情况下， 若 ，则 ，说明该能级E被电子占据的概率等于50％； 若 ，则 ，说明该能级E被电子占据的概率大于50％； 若 ，则 ，说明该能级E被电子占据的概率小于50％。 能带分布---本征半导体 * 本征半导体能带分布 能带图中能级高低都是以电子的电位能为根据的！ 电位能升高 能带分布---N、P型半导体 * N、P型半导体重参杂能带图 能带分布---未成PN结时能带 * 未形成P-N结时能带分布 导带底 价带顶 能带分布---成PN结时能带 * 形成P-N结时能带分布 能带分布---加正偏压P-N结能带 * 外加正偏压后P-N结能带分布 无源区 有源区 不满足粒子数反转分布的不发光区域 满足粒子数反转分布的发光区域 发光原理 半导体激光器的发光机理 * 1、当P-N结上外加的正向偏压足够大，使注入结区的电子足够多时，由于出现了粒子数反转分布状态，使得P-N结区将出现受激辐射大于受激吸收的情况； 2、这时，在与高能级相应的光子的激发下，就将使得高能级上的大量电子跃迁回低能级，同时放出大量的全同光子的光波； 3、光波在由P-N结构成的光学谐振腔中来回反射，光强不断增加，经谐振腔选频作用，从而形成激光。 异质结半导体激光器 * 前面讨论的简单的P-N结半导体激光器，又称 同质结半导体激光器。 1、对光波的限制不完善，导致输出光波损耗大。 缺点： 2、对载流子的限制不完善，导致阈值电流大。 异质结半导体激光器，用两种材料构成的P-N结,如:GaAs（砷化镓）和GaAlAs（镓铝砷） 。 单异质结半导体激光器 双异质结半导体激光器 单异质结半导体激光器 * 在同质结P-GaAs右侧加了一层异质材料 P-GaAlAs 1．增加了右侧位垒，对载流子进行了限制 可见，单异质结激光器的发光区域的右侧受到了约束，而且阈值电流有所降低。 2．在界面右侧出现了折射率的突变，限制了光波 双异质结半导体激光器 * 在单异质结激光器 N-GaAs的左侧加 N-GaAlAs 双异质结激光器在有源区两侧，既限制了载流子， 又限制了光波，而且阈值电流大大降低，实现了 预期的目的. 1．两侧位垒限制了电子从右侧，空穴从左侧逸出 2．两侧边界都对光波进行了限制 同质结能带和折射率 * 同质结能带和折射率分布 单异质结能带和折射率 * * 单异质结能带和折射率分布 单异质结限制电子和光子作用 * 单异质结的说明 双异质结限制电子和光子作用 * 双异质结的说明 课程总结 * 01 半导体能带分布 能带分布：1.费米能级； 2.本征半导体能带； 3.P、N型半导体能带。 02 半导体激光器的发光原理 1.同质结半导体激光器； 2.单异质结半导体激光器； 3.双异质结半导体激光器 THANKS