石墨烯的应用课讲[文字可编辑].ppt

2-D graphene 1 、 石墨烯的简介 2 、石墨烯的特性 3 、 石墨烯的制备方法 4 、 石墨烯的表征 5 、 石墨烯的应用前景 报告目录 1 、简介 2010 年 10 月 5 日，瑞典皇家科学院，将 2010 年诺贝尔物理学奖授予英 国曼彻斯特大学的两位科学家 , 以表彰他们在石墨烯材料方面的卓越研究。 1 、简介 2004 年，两位科学家通过使用胶带反复剥离石墨的方法在绝缘基底上获得了 单层或少层的石墨烯并研究其电学性能，发现其具有特殊的电子特性以及优异的 电学、力学、热学和光学性能，从而掀起了石墨烯应用研究的热潮。 1 、简介 石墨烯是一种由碳原子以 sp 2 杂化连接形成的单原子层二维晶体，其 厚度为 0.335nm ，碳原子规整的排列于蜂窝状点阵结构单元之中。电子显 微镜下观测的石墨烯片，其碳原子间距仅 0.142nm 。 “二维结构”从想象到现实 1 、简介 石墨烯可看作是其他维数碳质材料的基本构建模块，它可以被包成 0D 的富勒烯，卷成 1D 的碳纳米管或堆叠成 3D 的石墨。 2 、特性 “最强性能”有许多 最薄最轻 载流子迁移率最高 电阻率最低 强度最大最坚硬 导热率最高 厚 0.335nm ，比表面积为 2630m 2 /g 室温下为 20 万 cm 2 /Vs （硅的 100 倍） 约为 10 -6 Ω?cm （比铜和银更低） 破坏强度： 42N/m （结构钢的 200 倍） 3000~5000W/mK （硅的 50 倍） 2 、特性 单层石墨烯的价带与导带相交于布里渊 区的六个顶点，这些顶点就是狄拉克点。由 此，我们发现石墨烯是一种特殊能带结构的 零带隙半导体材料。 ? 低电阻率 ? 高迁移率 ? 高迁移速度 ? 半整数量子霍尔效应 2.1 电学特性 石墨烯三维能带结构图 2.2 力学特性 2008 年，美国哥伦比亚大学两名华裔科 学家研究发现， GR 是至今测量过的强度最大 的材料，比结构刚的强度要高 200 倍。 2013 年，该研究团队发现即使是存在缺 陷的 GR 仍然是目前已知的强度最高的材料。 完全由缝合晶界组成的石墨烯薄膜能保持超 高强度，这是 GR 在柔性电子和加强件等领域 大量应用的关键。 2 、特性 2.3 热学特性 (1) 石墨烯的导热率高达 5300W· m -1 · K -1 ，是铜的 2 倍和硅的 50 倍； (2) 单层石墨烯的导热率与片层宽带、缺陷密度和边缘粗糙度密切相关； (3) 石墨稀片层沿平面方向导热具有各向异性的特点； (4) 在室温以上，导热率随着温度的增加而逐渐减小。 2 、特性 2.4 光学特性 2008 年，奈尔 (Nair) 等人发 现石墨烯在近红外和可见光波 段具有极佳的光透射性。他们 将悬浮的石墨烯薄膜覆盖在几 十个 μm 量级的孔洞上，发现单 层石墨烯的透光率可达 97.7% ， 而且透光率随着层数的增加呈 线性减少的趋势。 不同层数石墨烯的透射光谱 2 、特性 3 、制备方法 机械剥离 法 化学气相 沉积法 SiC 热分 解法 氧化石墨 烯还原法 石墨烯制备方法 3 、制备方法 3.1 机械剥离法 机械剥离法，是一种反复在石墨上粘贴并揭下粘合胶带来制备石墨烯的方 法，缺点是很难控制所获得的石墨烯片的大小及层数。而且只能勉强获得数 mm 见 方的石墨烯片。其优点是，可以获得采用其他方法时无法实现的极高品质石墨烯 片。还有人指出，“正是因为机械剥离法的出现才使石墨烯的分离研究在短时间 内取得了进展”。 3 、制备方法 3.2 化学气相沉积法 另外，制造大面积石墨烯膜也已成为可能。采用的方法是化学气相沉积法。 这是在真空容器中将甲烷等碳源加热至 1000 ℃左右使其分解，然后在 Ni 及 Cu 等金 属箔上形成石墨烯膜的技术。 2010 年 6 月韩国成均馆大学与三星电子等宣布，开 发出了可制备 30 英寸单层石墨烯膜的制造工艺以及采用这种石墨烯膜的触摸面 板，这一消息让石墨烯研究人员及技术人员感到十分吃惊。不过，在 1000 ℃高温 下采用的工艺只能以分批处理的方式推进，这是该制造工艺的瓶颈。而且这种工 艺还存在反复转印的过程中容易混入缺陷及杂质的问题。 3 、制备方法 3.3 SiC 热分解法 SiC 基板的热分解法是，将 SiC 基板加热至 1300 ℃左右后除去表面的 Si ，剩余 的 C 自发性重新组合形成石墨烯片的工艺。 IBM 公司 2010 年 1 月将原来的机械剥离 法改为这种方法制作了石墨烯场效应管。其优点是“不会受原来 SiC 基板上存在的 若干凹凸的影响，可像从上面铺设地毯一样形成石墨烯片” 。而其存在的课题 是，需要非常高的处理温度，石墨烯片的尺寸不易达到数 μm 见