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BCD工艺技术 1引言 BCD是一种单片集成工艺技术。1986年由意法半导体（ST）公司率先研制成功，这种技术 能够在同一芯片上制作双极管 bipolar，CMO和 DMOS器件，称为BCD工艺。 了解BCD工艺的特点，需要先了解双极管 bipolar ，CMOS口 DMO器件这三种器件的特点, 详见表1。 表1双极管Bipolar,CMOS和DMO器件的特点 器件类别 器件特点 应用 双极器件 两种载流子都参见导电，驱动能 力强,工作频率咼，集成度低 模拟电路对性能要求较咼部分（咼速、强驱 动、高精度） CMO器件 集成度咼，功耗低 适合做逻辑处理，一些输入,也可以做输出 驱动 DMO器件 高压大电流驱动（器件结构决定 漏端能承受咼压，咼集成度可在 小面积内做超大W/L） 模拟电路和驱动,尤其是咼压功率部分,不 适合做逻辑处理.） BCD 工艺把双极器件和CMO器件同时制作在同一芯片上。它综合了双极器件高跨导、强负 载驱动能力和CMO集成度高、低功耗的优点，使其互相取长补短，发挥各自的优点。更为 重要的是，它集成了 DMO助率器件，DMO可以在开关模式下工作，功耗极低。不需要昂 贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。低功耗是BCD工艺的一个主要优点之一 整合过的BCD工艺制程，可大幅降低功率耗损，提高系统性能，节省电路的封装费用，并 具有更好的可靠性。 2 BCD 工艺关键技术简介 BCD 工艺的基本要求 首先，BCD工艺必须把双极器件、CMO器件和DMO器件同时制作在同一芯片上，而且这三 种器件在集成后应基本上能具有各自分立时所具有的良好性能；其次， BCD工艺制造出来 的芯片应具有更好的综合性能；此外，相对于其中最复杂的工艺（如双阱、多层布线、多 层多晶硅的CMOS：艺）不应增加太多的工艺步骤。 BCD 工艺兼容性考虑 [1] BCD工艺典型器件包括低压 CMOS!、高压MOS1、各种击穿电压的LDMOS垂直NPNt、 垂直PNP管、横向PNP管、肖特基二极管、阱电阻、多晶电阻、金属电阻等；有些工艺甚 至还集成了 EEPROM结型场效应管JFET等器件。由于集成了如此丰富的器件，这就给电 路设计者带来极大的灵活性，可以根据应用的需要来选择最合适的器件，从而提高整个电 路的性能。由于BCD工艺中器件种类多，必须做到高压器件和低压器件的兼容；双极工艺 和CMOS：艺的相兼容，尤其是要选择合适的隔离技术；为控制制造成本，必须考虑光刻版 的兼容性。考虑到器件各区的特殊要求，为减少工艺制造用的光刻版，应尽量使同种掺杂 能兼容进行。因此，需要精确的工艺模拟和巧妙的工艺设计，有时必须在性能与集成兼容 性上作折中选择。通常 BCD采用双阱工艺，有的工艺会采用三阱甚至四阱工艺来制作不同 击穿电压的高压器件。 DMOS器件的结构、工作原理与特点[2-5] 功率输出级DMOS管是此类电路的核心，往往占据整个芯片面积的 1/2?2/3，它是整个集 成电路的关键。DMOS与 CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压 高。DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管 VDMOSFBTvertical double-diffused MOSFET ）和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 LDMOSFET（lateral double-diffused MOSFET LDMO由于更容易与 CMO工艺兼容而被广泛采用。LDMO器件 结构如图1所示，LDMO是一种双扩散结构的功率器件。这项技术是在相同的源 /漏区域注 入两次，一次注入浓度较大（典型注入剂量 1015cm-2）的砷（As）,另一次注入浓度较小 （典型剂量1013cm-2）的硼（B）。注入之后再进行一个高温推进过程， 由于硼扩散比砷快， 所以在栅极边界下会沿着横向扩散更远（图中 P阱），形成一个有浓度梯度的沟道，它的沟 道长度由这两次横向扩散的距离之差决定。为了增加击穿电压，在有源区和漏区之间有一 个漂移区。LDMO神的漂移区是该类器件设计的关键，漂移区的杂质浓度比较低，因此， 当LDMOS接咼压时，漂移区由于是咼阻，能够承受更咼的电压。图 1所示LDMO的多晶扩 展到漂移区的场氧上面，充当场极板，会弱化漂移区的表面电场，有利于提高击穿电压。 场极板的作用大小与场极板的长度密切相关［6］。要使场极板能充分发挥作用，一要设计好 SiO2层的厚度，二要设计好场极板的长度。 P型对庇 P型对庇 图1 DMO器件是由成百上千的单一结 构的DMO沖元所组成的。这些单元的数目是根据一个芯片所需要的驱动能力所决定的, DMOS勺性能直接决定了芯片的驱动能力和芯片面积。对于一个由多个基本单元结构组成的 LDMOS器件，其中一个最主要的考察参数是导通电阻，用 R ds