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国家标准《砷化镓单晶》 编制说明（送审前征求意见稿） 一、工作简况 1. 立项目的和意义 砷化镓（GaAs）单晶材料是目前生产量最大、应用最广泛，同时也是最重要的化合物半导体材料之一，是仅次于硅的第二代半导体材料。由于其优越的性能和能带结构，使其在微波器件和发光器件等方面具有很大的发展空间，具有广阔的市场前景。砷化镓单晶作为一种新型的电子信息材料，技术水平的发展十分迅速。近年来，砷化镓单晶的技术水平较10年前有了很大的提高，用途也得到了拓展，主要体现在以下几个方面： 1、砷化镓单晶的直径、重量不断增大，生长及加工工艺日趋成熟。 2、100 mm（4英寸）、150 mm（6英寸）砷化镓单晶均已批量生长，砷化镓晶片也已经规模化生产和应用。 3、在材料性能上，目前的砷化镓单晶与以往相比，国内外客户要求位错密度更低，材料的电学性能更加优化。 目前国内砷化镓单晶生长，以及开盒即用砷化镓单晶片的产业链已经打通，砷化镓单晶的质量水平影响下游的产业链，原有的标准GB/T 20228-2006所规定的的直径、电阻率、位错密度等指标已远远满足不了客户的市场需求，鉴于砷化镓单晶近几年的迅速发展，需要对GB/T 20228-2006《砷化镓单晶》标准进行修订，以引导砷化镓行业发展，满足市场需求和促进技术进步。 2. 任务来源 根据《国家标准委关于下达2018年第三批国家标准制修订计划的通知》（国标委综合[