先进化合物半导体材料精编.ppt

先进化合物半导体材料  定义与分类 2.Ⅲ-V族化合物半导体材料 3.Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料 4.Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体材料 5ⅣV-Ⅳ族化合物半导体 6.其他二元化合物半导体材料  1.定义与分类 定义:由两种或两种以上元素以确定的原子配比 形成的化合物,并具有确定的禁带宽度和能带结 构等半导体性质的称为化合物半导体材料 分类:化合物半导体材料种类繁多,性质各异 如ⅢV族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其固溶体材 料,Ⅳ-ⅣV族化合物半导体(SiC)和氧化物半导体 (Cu2O)等。它们中有宽棼带材料,也有高电子迁 移率材料;有直接带隙材料,也有间接带隙材料。 因此化合物半导体材料比起元素半导体来,有更 广泛的用途。  2.Ⅲ-V族化合物半导体材料 Ⅲ-V族化合物半导体材料指周期表中第ⅢA族的 元素B、Al、Ga、In和VA族元素N、P、As、Sb 形成的15种化合物BN、BP、BAs、AIN、AAs、 AP、AlSb、GaN、GaAs、GaP、GaSb、InN InAs、InP和InSb。 但并不是所有ⅢⅤ族化合物都具有半导体性质 例如:InBi、TIBi和TlSb  1952年Weke等人发现Ⅲ族和族元素形成的化合物也 是半导体,而且某些化合物半导体如GaAs、MnP等具有 Ge、S所不具备的优越特性(如电子迁移率高、禁带宽度 大等等),可以在微波及光电器件领域有广泛的应用,因 而开始引起人们对化合物半导体材料的广泛注意。 但是,由于这些化合物中含有易挥发的∨族元素,材料 的制备远比Ge、S等困难。到50年代末,科学工作者应 用水平布里奇曼法(HB)、温度梯度法(GF)和磁耦合提拉」 法生长出了GaAs、InP单晶,但由于晶体太小不适于大 规模的研究。 1962年Metz等人提出可以用液封直拉法(LEC来制备化 合物半导体晶体,1965~1968年Muin等人第一次用三 氧化二硼(B2O3)做液封剂,用LEC法生长了GaAs、hP 等单晶材料,为以后生长大直径、高质量ⅢV族单晶打 下了基础  21ⅢV族化合物半导体的晶体结构 和硅、锗不同,大多数ⅡV族化合物半导体的晶 体结构是闪锌矿型,这种晶体结构与金刚石型很 相似,也是由两套面心立方格子沿体对角线移动 /4长度套构而成,不过金刚石这两套格子的原子 是相同的,而闪锌矿型则一套是Ⅲ族原子,另一 套是V族原子。  在闪锌矿结构中,Ⅲ族元素原子与V族元素 原子的价电子数是不等的,关于它们之间价 键的形成机构有几种说法 种认为是由族原子的5个价电子中拿出 个给Ⅲ族原子,然后它们相互作用产生 sp3杂化,形成类似金刚石结构的共价键。 例如,GaAs的Ga原子得到一个价电子变成 Ga,As原子给出一个价电子变成AS+离子。 它们按上述说法键合时,虽说是以共价键为 主,但由于Ga和AS+离子的电荷作用而具 有离子键性质;  另一种认为在闪锌矿型晶体结构中,除Gaˉ 和As+形成的共价键外,还有Ga3+和As3形成 的离子键,因此ⅢV族化合物的化学键属于 混合型  22ⅢV族化合物半导体的性质 △目前得到实用的几种ⅢV族化合物半导体材料 为GaAs、ImP、GaP、GaN、mnSb和GaSb Δ直接带隙,光电转换效率高,光电器件(LED, LD,太阳能电池等) Δ带隙较大,室温带隙值一般>1.leⅤ。高温、大 功率器件。 ΔGaP是间接带隙,掺入等电子杂质(N)形成束 缚激子仍可得到较高的发光效率。是红、黄、绿 LED的主要材料 Δ电子迁移率高,适合制备高频、高速器件。  A带隙和温度的关系E,(T)=E2(O)-I2/(+B 化合物 Eg(o)ev 10-4evk-I AlAs Alsb 1.687 213 2.338 372 GaAs 519 5.405 Gasb 3.78 1.421 3.63 In Sb