光刻清洗工艺简介精编.ppt

大纲 光刻工艺介绍 光刻概述 工艺流程 主要工艺设备介绍 四、其他 清洗工艺介绍 、清洗概述 、常用湿法清洗(腐蚀)方法 、清洗机及超声清洗 四、等离子清洗机 五、常用化学品理化特性  光刻工艺介绍 光刻概述 二、工艺流程 三、主要工艺设备介绍 四、其他  光刻概述 什么是光刻 通过曝光将掩模板( reticle)上的图形, 转移到晶片( wafer)上的过程叫光刻,图 形转移过程包含两个步骤 (1)通过曝光将掩模板图形转移到光刻胶上 (2)通过显影将曝光后溶于显影液的光刻胶 溶解掉,显露出我仉需要的功能窗口。  2、光刻的质量 光刻的质量∶用分辨率、光刻精度以及缺陷密度等来衡量 影响光刻质量的主要因素是:光刻胶、光刻掩模板、曝光方式、曝光系统等 光刻的质量要求 光刻的质量直接影响到器件的性能,成品率和可靠性。要 图形完整性好 大针孔 尺寸准确 边缘整齐,线条陡直 图形内无针孔,图形外无小岛 图形脱青 硅片表面清洁,无底膜 图形套刻准确。 小针孔 光刻常见缺陷  3、基本流程 前部工 清洗 表面处 e理-匚*胶」一匚烘 对准 匚些-[]-江 曝光 核心工艺 黄光室 通过 刻蚀  二、光刻工艺流程 (一)、表面处理 为什么要进行表面处理 由于晶圆容易吸附潮气到它的表面。光刻胶黏附要求要严格的干燥表面, 所以在涂胶之前要进行脱水娂焙和黏附剂的涂覆。脱水烘焙的温度通常在 140度到200度之间。有时还要用到黏附剂,黏附剂通常使用HMDS(六甲基二 硅胺脘)。表面处理的主要作用是提高光刻胶与衬底之间的粘附力,使之在 显影过程中光刻胶不会被液态显影液渗逶。(如下图) 显影液 帖附力好表面 利底 是否要使用黏附剂要根据图形大小、衬扆及光刻胶的种 类来决定,HMDS可以用浸泡、喷雾和气相方法来涂矍。 粘附力差的表面  使用烘箱进行HMDS增粘处理要注意那些问题? ①预处理完的硅片应在一定的时间内尽快涂胶,以免 表面吸附空气中的水分,降低増粘效果。但同时也要 充分冷却,因硅片的温度对胶厚有很大的影响。 ②反复预处理反而会降低增粘效果。 3ⅢMDS的瓶盖打开后,其寿命有限,一定要尽快用完。  (二)涂胶 目的:就是在晶园表面建立一厚度均匀的、并且没 有缺陷的光刻胶膜。 方法:静态旋转涂覆 动态喷洒涂覆 1.滴胶(静态、动态) 2.加速旋转 3.甩掉多余的胶 溶剂挥发  静态涂胶: 首先把光刻胶通过管道堆积在晶圆的中心,然 后低速旋转使光刻胶铺开,再高速旋转甩掉多 余的光刻胶,高速旋转时光刻胶中的溶剂会挥 发一部分。 涂胶 铺展 ∨真空  动态涂胶 随着 wafer直径越来越大,静态涂胶已不能满 足要求,动态喷洒是以低徳旋转,目的是帮助 光刻胶最初的扩散,用这种方法可以用较少量 的光刻胶而达到更均匀的光刻胶膜,然后高速 旋转完成最终要求薄而均勹的光刻胶膜。 低转速、 转速