半导体材料测试与分析课件.ppt

光致发光光谱 PL 1 主要内容： ? 光致发光基本原理 ? 仪器及测试 ? 应用 2 一、光致发光的基本原理 ? 1. 定义：光致发光 (Photoluminescence) 指的是以光作为激励手段，激发材料中的 电子从而实现发光的过程。它是光生额外 载流子对的复合过程中伴随发生的现象。 3 ? 2. 基本原理：由于半导体材料对能量高于 其吸收限的光子有很强的吸收，因此在材 料表面约 1 μ m 厚的表层内，由本征吸收产 生了大量的额外电子 - 空穴对，使样品处于 非平衡态。这些额外载流子对一边向体内 扩散，一边通过各种可能的复合机构 复合 。其中，有的 复合 过程只发射声子，有的 复合过程只发射光子或既发射光子也发射 声子。 4 ? 光致发光光谱（ Photoluminescence, 简称 PL) ，指物质吸收光子（或电磁波）后重新 辐射出光子（或电磁波）的过程。从量子 力学理论上，这一过程可以描述为物质吸 收光子跃迁到较高能级的激发态后返回低 能态，同时放出光子的过程。光致发光是 多种形式的荧光（ Fluorescence ）中的一 种。 5 ? 从微观上讲，光致发光可以分为两个 步骤： 第一步是以光对材料进行激励， 将其中电子的能量提高到一个非平衡 态，也就是所谓的“激发态”； 第二步，处于激发态的电子自发 地向低能态跃迁，同时发射光子，实 现发光。 6 ? 光致发光：通过光 照射使系统跃迁到 激发态，再通过非 平衡辐射发光 ? 基本原理：设系统 的能级结果如图所 示， E0 是基态， E1-E6 是激发态， 受到激发后，系统 从低能级被激发到 高能级，再从高能 级跃迁到低能级， 其中， E2 到 E1 或 E0 有可能发光 E 6 E 0 E 5 E 2 7 半导体中各种复合过程示意图（ a ）带间跃迁（ b ） 带－杂质中心辐射复合跃迁（ c ）施主－受主对辐射 复合跃迁 e-h (a) (b) (c) e-h 声子参与 e-A D-h e-D + D-A 自 由 载 流 子 复 合 自 由 激 子 复 合 束 缚 激 子 复 合 浅 能 级 与 本 征 带 间 的 载 流 子 复 合 施 主 受 主 对 符 合 电 子 空 穴 对 通 过 深 能 级 的 复 合 8 在上述辐射复合机构中，前两种 属于本征机构，后面几种则属于非本 征机构。由此可见，半导体的光致发 光过程蕴含着材料结构与组份的丰富 信息，是多种复杂物理过程的综合反 映，因而利用光致发光光谱可以获得 被研究材料的多种本质信息 。 9 二、仪器及测试 ? 测量半导体材料的光致发光光谱的基 本方法是，用紫外、可见或红外辐射 等激发光源产生能量大于被测材料的 禁带宽度 Eg 、且电流密度足够高的光 子流去入射被测样品，同时用光探测 器接受并识别被测样品发射出来的光 ，分析该材料的光学特性。 10 TRIAX550 PL 谱仪 11 样品架 制冷仪 12 光致发光光谱测量装置示意图 13 测试步骤： 1. 放置样品 ( 晶片，粉体，薄膜 ) 2. 抽真空 3. 降温 4. 激光器使用 5. 光谱仪自检 6. 校准 7. 样品发光光谱测量 8. 变温测量 9. 变功率测量 10. 关机 14 三、 PL 谱的应用 ? 由于 PL 谱与晶体的电子结构（能带结 构）、缺陷状态、和杂质等密切相关 ，因此，光致发光被广泛用来研究半 导体晶体的物理特性。 ? 光致发光光谱的测试以其简单、可靠 ，测试过程中对样品无损伤等优点而 得到广泛的应用。 15 PL 可以应用于： （ 1 ）带隙检测、（ 2 ）缺陷检测、（ 3 ）复合机 制以及材料品质鉴定、（ 4 ）对少子寿命的研究、 （ 5 ）测定半导体固溶体的组分、（ 6 ）测定半导体 中浅杂质的浓度、（ 7 ）半导体中杂质补偿度的测 定、（ 8 ）对半导体理论问题的研究等。 应用领域举例： LED 外延片，太阳能电池材料，半导体晶 片，半导体薄膜材料等检测与研究。 16