第一章 GeSi的晶体结构.ppt

光电材料与半导体器件 第一章 Ge 、 Si 的晶体结构 光电材料与半导体器件 本章内容 ? 1.1 Ge 、 Si 的晶体结构 ? 1.2 晶向和晶面 ? 1.3 锗硅晶体的各向异性 光电材料与半导体器件 1 、 晶胞和晶格常数 Ge 、 Si 晶体中原子排列的情况如图 1-1 所示。图中的立方体是反映 Ge 、 Si 晶体中原子排列基本特点的一个单元， 常称为 晶胞 。晶胞的各个边长叫做 晶格 常数 ，是不同晶体的一个特征性参量。 对 Ge 、 Si 晶体，其晶胞是图 1-1 所示的 立方体，因此只有一个晶格常数（记为 a ）。 1.1 Ge 、 Si 的晶体结构 图 1-1 Ge 、 Si 的晶格结构 光电材料与半导体器件 ? 晶体中原子排列的情况和晶格常数等，可通过 X 射线 结构分析等技术确定出来。已给出 硅的晶格常数 a= 0.5428nm ， 锗的晶体常数 a= 0.5658nm 。 ? 仔细观察一下图 1-1 所示的晶胞，就可以知道，该立方 体晶胞中共包含有 18 个原子（顶角 8 个，面心 6 个，内部 4 个），但是真正属于该晶胞的原子只有 8 个，据此就容易计 算晶体的原子密度。因为晶胞的体积为 a 3 ，则晶体中每个 原子所占有的体积为 a 3 /8 ，所以晶体原子密度 =8/a 3 。代入 a 的值就得到： Si 晶体的原子密度 =5 × 10 22 /cm 3 ， Ge 晶体的 原子密度 =4.4 × 10 22 /cm 3 。 光电材料与半导体器件 ? 晶胞中的 18 个原子，分别处于两种不同的位置，一种是在 晶体胞的顶角和面心上，另一种是在晶胞内的体对角线上， 它们的坐标分别为： ? 第一种位置： （ 0 ， 0 ， 0 ）；（ 1/2 ， 1/2 ， 0 ）；（ 1/2 ， 0 ， 1/2 ）； （ 0 ， 1/2 ， 1/2 ）； …… ? 第二种位置： （ 1/4 ， 1/4 ， 1/4 ）；（ 3/4 ， 3/4 ， 1/4 ）； （ 3/4 ， 1/4 ， 3/4 ）；（ 1/4 ， 3/4 ， 3/4 ）； …… 光电材料与半导体器件 2 、锗，硅晶体中原子排列的规律 完整晶体中原子的排列是很规则的，各有一定的排列 规律，这种规律可完全由其晶胞结构反映出来。 仔细分析图 1-1 中的晶胞，就会发现，对 Ge 、 Si 晶体， 其原子排列的规律可从两方面来看： （ 1 ）每个原子的周围有 4 个最邻近的原 子（与中心原子的距离都相等），而且 这 4 个最邻近的原子按正四面体分布， Ge 、 Si 中的原子之所以有这种特殊的排 列规律，是由其共价键的性质所决定的。 按这种规律分布的键，通常称为四面体 键。根据这种看法，则整个晶体可认为 是由图 1-2 所示的许多共价四面体堆砌而 成的。 图 1-2 锗、硅中的四面体结构 光电材料与半导体器件 ? （ 2 ）整个 Ge 、 Si 晶体可看成由两套面 心立方晶格套构起来的。面心立方晶 格的一个晶胞是带有面心原子的立方 体，如图 1-3 所示， Al ， Au 等金属就 具有这种晶格。 Ge 、 Si 的晶格，可看 成是由两套面心立方格沿晶胞体对角 线方向，且错开 1/4 体对角线长度套构 而成的，如图 1-4 所示。这就是说， Ge 、 Si 晶格是由两套简单的面心立方 晶格构成，是一种较为复杂的晶格， 正因为 Ge 、 Si 晶格可由基本的面心立 方晶格套构而成，所以常常把 Ge 、 Si 的结构归属于面心立方晶格。 图 1-3 面心立方晶格 图 1-4 锗、硅的晶格结构 光电材料与半导体器件 由图 1-4 可见，处于正四面体中心的原子和四面体顶 角的原子，分别属于两套不同的面心立方晶格，它们是有 区别的。四面体中心原子和顶角原子的价键取向是不一样 的，就是说，尽管原子种类相同，但其在晶体中所处的环 境不同。应当注意，所谓四面体中心或顶角，这是相对的， 实际上，任何一个原子既可以是某个四面体的中心原子， 也可以是另一个四面体的顶角原子。 结构分析指出，这种 Ge 、 Si 的晶体结构 与金刚石的晶 体结构完全相同，只是原子种类和晶格常数不同，因此， 通常把这种形式的晶体结构统称为“ 金刚石结构 ”。 光电材料与半导体器件 3 、 四面体半径和杂质的失配 Ge 、 Si 中每一个原子周围有 4 个按正面体分布的邻近原子。因此， Ge 、 Si 晶体中的最小原子间距，也就是正四面体的中心原子到顶角原 子之间的距离，把这个最小原子间距再除以 2 ，就定义为四面体半径， 显然，四面体半径也就是把晶体原子都看成是一个个硬球的球半径， 这是金刚石结构特有的一个结构参数。 由图 1-4