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半导体三极管及单管放大电路
第三十五讲三极管、运算放大器、门电路
一、内容提要：
本讲主要讲半导体三极管、运算放大器、门电路等主方面的问题。
二、本讲的重点及难点是：
晶体管的电流放大作用、晶体三极管的主要参数、晶体三极管的特性曲线。
三、内容讲解：
1、 半导体三极管
（一）半导体三极管
（1）晶体三极管的结构及符号：
如图所示，
晶体管是由两个距离很近的 PN结构成，必须有三层半导体材料相隔， 故此有 PNP型和 NPN
型两大类。晶体管内部有三个区：发射区（ e 区）、基区（ b 区）、集电区（ c 区），两
个 PN结：发射区和基区之间的发射结和基区与集电区之间的集电结，还有分别从三个区
引出的三个电极：发射极、基极和集电极。
（2 ）晶体管的电流放大作用
我们把一只 NPN型三极管接成如图所示的电路，此时发射结加有正向电压，集电结加有
反向电压。可以看出，这种电路包含两个回路：一为基极—发射极回路，又叫输入回路；
另一为集电极—发射极回路，又叫输出回路。发射极为两个回路的公共点，故称为“共
发射极放大回路”。
（3 ）晶体三极管的主要参数
晶体管的参数是用来说明其性能和适用范围的，选用晶体管时要以此为依据，主要参数
有：
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