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Wide Bandgap Semiconductor-Based Lasers 王伟平 2014-1-9 0 1 ? 彩色激光显示 ? 打印和扫描：快速、高分辨率 ? 存储： CD(780 nm) —— AlGaAs 基激光器 VCD(635 nm 或 650 nm) —— AlGaInP 激光器 DVD(410nm) —— InGaN 激光器 1-1 Application 2 ? 提高物镜的数值孔径 NA 值 容量与光源波长的 2 次方成反比 ? 光学元部件及光盘片材料的光 学透过率等限制 1-2 Optical Storage 400-430 nm 1982 年 AlGaAs/GaAs(780nm) 异质结 激光器作为光源的 CD 播放机 1985 年， Kabayashi InGaAlP(670nm) 红光 激光器的室温连续激射 1992 年， Hiroyama InGaAlP(630nm) 红光 半导体激光器 1996 年，日亚和中村 GaN(400nm) 蓝紫光 半导体激光器 1999 年，日亚实现商品化 GaN(400nm) 蓝光半导体激光器 寿命 10000h 3 1-3 Difficulties and Breakthroughs 难点 ? 缺乏晶格常数匹配、热胀系数接近的热稳定的衬底材料 ? p 型 GaN 外延层难以获得 突破 ? 高质量 GaN 外延层的生长 1986 年 Amano 利用低温生长的 AlN 或 GaN 过渡层或成核层 , 得到表面平坦如 镜低剩余载流子浓度、高电子迁移率和高荧光效率的高质量 GaN 外延层 ,1991 年首次获得 GaN 外延层室温光泵浦下的受激发射。 ? 低阻 p-GaN 的获得 1989 年 Amano 等人利用低能电子辐照实现了 Mg 掺杂低阻 p 型 GaN 。 1991 年 Na kamura 等人在700℃以上无氢的氮气氛中退火 , 也获得了低阻 p-GaN 。 ? 高质量 InGaN 外延层的生长 有源层内由 In 组分涨落引起的深局域化能态是发光二极管高效发光的 关键 , 只有掺有 In 的 GaN 有源层才可能得到室温带间跃迁。 4 1-4 Growth ? 衬底的选择 ? 生长技术 1. 双流生长技术 2. 外延侧向过生长 3. 悬挂式外延 5 ? F-P 腔结构 InGaN 基激 光器 ? 电注入的三级 Bragg 光 栅紫光 DFB 激光器 1-5 Cavity structure ? 垂直腔面发射激光器 ? 极化声子激光器 6 7 2-1 Introduction ? microcavity (MC)-based VCSEL ? polariton lasers With edge-emitting GaN-based lasers in commercial systems, attention is shifting to more demanding and rewarding emitters. ? High-speed, high-resolution laser printing and scanning ? New types of coherent optical but nearly thresholdless sources ? Observation of spontaneous em- ission buildup in polariton lasing emission is attributed to a Bose – Einstein condensate of cavity pol- aritons. 8 2-2 GaN-BASED VCSEL ? The beam of a VCSEL is characterized by a lower divergence angle compared with that of the edge-emitting lasers, making them favored for use in fiber-optic communications. ? Gain region is very short in vertical cavity devices as compared the edge-emitter varieties, the required reflectivities of the top and bottom DBRs must be well above 90% in order to overcome optical losses for lasing. VCSELs emit perpendicular to th