化工结晶单选练习题.docVIP

一.单项选择题（每小题2分，共20分） 1.下列不属于溶液结晶的是（A） A 熔融结晶 B 蒸发结晶 C 盐析结晶 D 反应结晶 2. 当溶液处于（B）时，表现为过饱和溶液瞬间析出较多晶核。 A 稳定区 B 不稳区 C 介稳区 D 亚稳区 3.关于极限过饱和度，下列说法错误的是（C） A任何一种杂质的引入都会引起极限过饱和度的变化 B用沃利梅尔速率方程式测定第一极限过饱和度，不需要考虑时间因素 C 在一般情况下，固相杂质促使极限过饱和度升高 D极限过饱和度与新相产生的速率有关 4.关于晶核与结晶中心，下列说法正确的是（D） A结晶中心是与不稳定液相处于平衡状态的粒子 B晶核为一种能够继续长大的新相粒子 C结晶中心的大小受某些因素限制 D 都是生长着的晶体 5.下列关于晶体的生长，错误的是（B） A单核生长的特点是成核时间大大超过单层生长时间 B多核生长机理适用相对过饱和度较高的体系 C层生长理论认为晶体生长过程是晶面层层外推的过程 D二维生长机理的适用条件为溶质浓度不小于溶解度的101%-102% 6.下列有关结晶动力学的说法错误的是（C） A多温结晶的特点是速率常数不是恒定的 B诱导期时间、结晶速率及其最大值、过程阶数都属于结晶过程的动力学特征参数 C结晶时间是指结晶开始至某时刻t的时间段，并且包括诱导期 D过饱和度增大的速度主要依赖于系统的冷却速度 7. 杂质对成核速率的影响，可由（A）判断。 A 溶解度的变化 B 温度的变化 C 压力的变化 D诱导期的变化 8.关于结晶分离，下列说法错误的是（B） A不同的熔化温度可作为结晶分离的依据 B 结晶法不可分离沸点相近的混合物 C 结晶法可分离热稳定性差的混合物 D. 结晶分离消耗能量小 9.下列不属于影响结晶产品纯度因素的是（D） A 母液 B 晶体粒度 C 晶簇 D 晶核大小 10下列说法错误的是（C） A 吸湿点越高，化合物的吸湿能力越差 B 结晶条件对于极限过饱和度的值有直接的影响 C 低过饱和度下的晶体生长与结构缺陷无关 D晶体粒度分布与晶习改变与否有关 一.单项选择题（每小题2分，共20分） 1.下列不属于晶体基本特性的是（ C ） A 自范性 B 各向异性 C 最大内能性 D 稳定性 2.下列公式表示绝对过饱和度的是（A） A. C-Ceq B C-Ceq）/ Ceq C Tf-T D C/Ceq 3.当溶液处于（ C ）时，表现为溶液过饱和，无加晶种等外界扰动作用下，不发生晶核的自发形成 A 稳定区 B 不稳区 C 介稳区 D 过饱和曲线 4.下列方法不属于测定第一极限过饱和度的是（ D ） A 沃利梅尔速率方程式 B 托弗宾和克拉斯诺娃法 C 求得某一浓度 D 什雷科夫和戈尔巴切夫法 5.晶核与结晶中心的共同点是（B ） A 不稳定液相处于平衡状态的粒子 B 生长着的晶体 C 一种能够继续长大的新相粒子 D 一种能作为生成新相基础的其它固体粒子 6.下列说法错误的是（ B） A 二维生长机理的适用条件:过饱和系数S≥1.01-1.02 B.多核生长机理适用相对过饱和度较高的体系 C 低过饱和度下的晶体生长与结构缺陷有关 D 阶梯状生长属于层生长理论的范畴 7.影响晶体生长最主要的因素为（ A ） A 温度 B 压力 C 搅拌强度 D 过冷度 8.下列关于诱导期的说法错误的是（ B ） A 相变发生时的潜伏转变时期 B 范围比较窄，通常只有几秒 C 诱导期的延续时间与温度有关 D 诱导期的延续时间取决于过冷度 9.下列关于吸湿性正确的是（ A ） A 吸湿点越高，吸湿性越差 B 混合盐吸湿性具有直接的加和性 C 吸湿点取决于温度, 吸收系数与温度无关 D 物质的结块性与吸湿性无关 10.关于晶体粒度分布错误的是（ C ） A 晶体粒度分布与晶体的成核速率、生长速率有关 B 晶体粒度分布与晶习改变与否有关 C 晶体粒度，不受出现结晶中心的时间影响 D 可通过杂质调节晶核数，进而调节粒度